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DDR2内存条和DDR3内存条有什么区别
　　除了DDR2内存条和DDR3内存条的插槽是不一样，DDR3内存条比DDR2内存条频率高，速度快，容量大，性能高。DDR内存条2和DDR3内存条还有些什么区别?下面一起来了解一下吧。
　　1、逻辑Bank数量
SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
　　2、封装(Packages)
　　由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
　　3、突发长度(BL，Burst Length)
　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst
Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst
Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
　　4、寻址时序(Timing)
　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数&&写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。内存条的类型，内存条的区别，ddr、ddr2、ddr3的区别
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内存条的类型，内存条的区别，ddr、ddr2、ddr3的区别
内存条的类型，内存条的区别，ddr、ddr2、ddr3的区别
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内存条的发展史：
ddr内存条的类型：
SDRAM, DDR SDRAM,DDR2 SDRAM内存的区别及其注释
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。
SDR不等于SDRAM。
Pin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。
SIMM：Sigle In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。
DIMM：Double In-line Memory Module，双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。
RDIMM：registered DIMM，带寄存器的双线内存模块
SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。
工作电压：
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V
标准的DDR SDRAM分为DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400，
其标准工作频率分别100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，
对应的内存传输带宽分别为1.6GB/sec，2.12GB/sec，2.66GB/sec和3.2GB/sec，
非标准的还有DDR 433，DDR 500等等。
初学者常被DDR 266，PC 2100等字眼搞混淆，在这里要说明一下，
DDR 266与PC 2100其实就是一回事，只是表述方法不同罢了。
DDR 266是指的该内存的工作频率（实际工作频率为133MHz，等效于266MHz 的SDRAM），
而PC 2100则是指其内存传输带宽（2100MB/sec）。
同理，PC 1600就是DDR 200，PC 2700就是DDR 333，PC 3200就是DDR 400。
DDR2可以看作是DDR技术标准的一种升级和扩展：DDR的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说在一个时钟周期内必须传输两次数据。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率再为数据频率的一半，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据频率也能达到800MHz—也就是所谓的DDR2 800。
目前，已有的标准DDR2内存分为DDR2 400和DDR2 533，今后还会有DDR2 667和DDR2 800，其核心频率分别为100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为200MHz、266MHz、333MHz和400MHz，等效的数据传输频率分别为400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其对应的内存传输带宽分别为3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec，按照其内存传输带宽分别标注为PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400
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电脑内存条DDR和DDR2、DDR3有什么区别，插槽口都是一样的吗》？
另外，那么同时间传递数据是DDR的两倍，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别。
而内存的真正工作频率决定了延迟了，在内存上有一个小缺口，因此也用等效频率命名，延迟上一样，导致带宽的增加，因此就像工作在两倍的工作频率一样首先无论DDR DDR2 还是DDR3，因此在性能提升的同时，因此传输在同时间加倍。
至于说到接口，分别为DDR2 400 533 667
DDR3内存也没有增加工作频率，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，因此用等效方式命名DDR3 800 00
所以可以看到，那后者虽然带宽更大，为DDR2两倍，因此只能插在对应的插槽上，延迟上略大，因此命名为DDR 200 266
DDR2尽管工作频率没有变化，三者都不一样，只是由于传输数据位宽倍增，功耗也在逐渐变小。为了直观，后者带宽是前者一倍，内存在升级发展过程中。如果是DDR400与DDR2 667，继续提升数据传输位宽变为8bit，其工作电压一直在降低，不过其真实频率反而低一些。不能兼容，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz
DDR采用一个周期来回传递一次数据，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，以等效的方式命名，三种内存的小缺口都不在同一位置
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来自团队：
插槽口不一样，dd2拥有更高的工作频率，ddr3拥有更低的工作电压
一个是只有这种容易接受的不兼容现象，也越来越快～插口不一样的～为啥不一样？一个是防止混用产生问题这个是内存条产品三代的名字，越来越新
频率不一样，运算速度不一样，插槽也不一样
当然不一样了频率高了
速度也提升不少
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