什么是旁路电容?什么是去耦合电容容?

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什么是输入输出耦合电容 什么是发射极旁路电容 要求具体的定义,谢
坏坏的哲哥啲c
耦合电容一般都出现在 交流信号的电路中,因为在电路中有直流成分还有交流成分,一般我们只需要放大的都是交流信号的时候 就要把直流成分过滤掉,因为直流成分可以影响下一级放大器工作的.可以用电容隔直流 通交流的特性,只把我们想要的交流信号传送到下一级放大器.这就是耦合电容,对前一级的放大器来说是输出耦合,对下一级放大器来说是输入耦合,可以是同一个电容的.发射极旁路电容 也是用电容隔直流 通交流的特性,有时候我们为了稳定放大器的工作状态 需要在发射极上接一个负反馈的电阻,但是这个电阻也会影响交流信号,我们不想交流信号收到影响,所以旁路一个电容,让交流信号顺利通过.
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耦合指信号由第一级向第二级传递的过程,一般不加注明时往往是指交流耦合。退耦是指
对电源采取进一步的滤波措施,去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。耦合常数是...
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旁路电容和耦合电容解析
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TA的推荐TA的最新馆藏[转]&[转]&[转]&[转]&[转]&[转]&[转]&旁路电容与耦合电容——调试SIM5320的经历
物联网手持设备中需要3G通信功能,通过选型,最后确定选用SIM5320,还附带赠送客户GPS定位功能。
参照sim5230 datasheet,很快完成原理图和PCB板设计
信心满怀,投版贴片,测试模块功能,连接服务器成功,试了两次,连接服务器成功,皆大欢喜。
待把其他功能全部测试完后,整机测试过程中,3G模块出现了问题,一直连接服务器失败。起初,怀疑是信号问题,拿到室外测试,仍然连接服务器失败。
怎么回事?前头测试好好的。
回到实验室,接上调试串口,看系统LOG,发现导致连接失败的直接原因,原来在打开SIM5320后不久,可以看到系统不断地吐LOG(这与软件有关,可能有些并不会出现这种状况),显示存储空间满,啥玩意,不懂。多次试验发现每当模块准备与基站发生点关系就出现这种情况,在排除USBHUB没问题后,怀疑是模块的供电出现问题。用示波器打在模块RF进电口,打开模块,等待异常现象的发生。
果然,在模块准备连网的时候,示波器显示RF供电出现一个急剧抖动下降,然后恢复正常,然后模块自动重启,此时从调试窗口出现先前观察到的情况。原来是供电不足导致的模块重启,因为RF供电与基带供电享用统一供电口。发现了问题,怎么解决?
按理说,这里我预备了几个100uf的电容,在出现电源波动的时候能够及时补上的。但实际情况却不是,在更换反应速度最快的瓷片电容后,仍然出现供电不足的问题。
那就从头开始排查,用示波器测量DCDC出来的电,乱七八糟的波形,在4.2V附近抖动,以前还真没注意到这个问题。百度、查看DATASHEET,发现了问题所在,原来输出电容容量不够。在原理图设计时确定的是1.5UH的电感,可在贴片时,1.5UH电感用完,直接用的2.2UH的电感,而输出电容直接与该电感值有关,约为10倍值,也就是这里的输出电容容值至少为22UF以上(并没有考虑ESR),而贴片用的电容仍是10uf。换上一个33UF电容,DCDC出来的电稳定了,可在打开模块后仍会出现电源的抖动。看来主要问题不在这里。
既然电源不稳定,100UF电容不够,那就换上更大容量的,全部将100UF电容换成220UF电容,上电,打开模块,系统直接挂掉。咦?打开模块,模块供电,所有电容也有一个充电过程,充电电流过大,将系统带垮。那就省着点用,换两个220UF电容,其他的不变。上电,打开模块,连服务器,似乎可以,连上服务器了,多试几次还是顺利连上。似乎解决问题了,可在测试10多次后,再次出现连接失败,查看电源波形,波形还是抖动很厉害,一旦抖动超过幅度,模块就会重启。后面的测试,偶尔还是会出现连接失败的情况。存在隐患,要排除隐患。问题应该出现LDO上了。
查看DATASHEET,LDO供电最大电流还是可以达到2.6A,但最大值中有个min是1.5A,LDO带不起模块工作吧。索性去掉LDO及LDO周边器件,直接将DCDC调整到模块所需电压给模块供电。现象是刚打开模块,系统掉电,一个一个的去掉大容量电容后发现,留一个大容量电容,在模块联网时,系统掉电;若留两个大容量电容,在模块上电时,系统掉电。有点没有头绪了。
百度电容的作用,百度耦合电容和旁路电容,发现了一些问题。(此处将网上百度到的相关耦合电容和旁路电容说明摘抄过来)
1,耦合,有联系的意思。
2,耦合元件,尤其是指使输入输出产生联系的元件。
3,去耦合元件,指消除信号联系的元件。
,去耦合电容简称去耦电容。
,例如,晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗(这需要计算)这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容。&
从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。
) ^去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。
P旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。&
去耦和旁路都可以看作滤波。正如ppxp所说,去耦电容相当于电池,避免由于电流的突变而使电压下降,相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大,对更高频率的噪声,基本无效。旁路电容就是针对高频来的,也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率,会发生谐振,此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图,就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关,所以选择旁路电容还要考虑电容的介质,一个比较保险的方法就是多并几个电容。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。
O, D* D, g
虽然PPXP说的不错,但是我还是要补充一点。
&D旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别,不知道前面诸位仁兄为何不提这个。
所谓“去耦”的得名,前面已经说的非常清楚;
所谓“旁路”,就是给高频噪声一条低阻的释放途径。有点马其诺防线的意思。
去耦电容和旁路电容的区别&&&&&
旁路电容不是理论概念,而是一个经常使用的实用方法.&
电子管或者晶体管是需要偏置的,就是决定工作点的直流供电条件.例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压,为了在一个直流电源下工作,就在阴极对地串接一个电阻,利用板流形成阴极的对地正电位,而栅极直流接地,这种偏置技术叫做“自偏”,但是对(交流)信号而言,这同时又是一个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联一个足够大的点容,这就叫旁路电容.后来也有的资料把它引申使用于类似情况.&
&去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声.&
数字电路中典型的去耦电容值是
0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于
10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取
一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号通过较好,而对高频信号,表现出较强的电感性,阻抗较大,同时,大电容还可以起到局部电荷池的作用,可以减少局部的干扰通过电源耦合出去;容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,可以为高频干扰信号提供一条旁路,减少外界对该局部的耦合干扰&
旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除;去藕是为保正输出端的稳定输出(主要是针对器件的工作)而设的“小水塘”,在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作;补充一点就是所谓的藕合:是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件
有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播.去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地.
似乎耦合电容放的位置有点不对,修改电路板,在DCDC出电处,33UF电容后面,并排放置一个47UF去耦电容,测试,bingo。
再怎么上电下电左电右电,模块稳定工作,稳定联网。
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