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选择合适的晶体管 - 如何设计出理想D类放大器?
来源：本站整理
作者：秩名日 10:52
[导读] 选择合适的晶体管 为输出级选择适当的元件非常关键，因为其特性对系统性能具有很大的影响。首先，功率MOSFET必须能够承受其所期望处理的电压和电流。
选择合适的晶体管
　　为输出级选择适当的元件非常关键，因为其特性对系统性能具有很大的影响。首先，功率MOSFET必须能够承受其所期望处理的电压和电流。由于快速开关的PWM信号会在输出滤波电感器上引起反向电动势(EMF)，最大的额定漏-源电压应该至少比供电电压高25到50%。其次，功率MOSFET的&通&电阻导致发热并降低功率效率，因此应该尽可能低。常用的具有4或8&O阻抗的扬声器要求RON远低于0.2 &O，以保证阻性损耗适度地低。
　　开关延迟是选择输出器件的另一个重要参数。WM8608产生脉宽范围为122ns到2.7&s的PWM信号。为了保持信号完整性，输出级(功率MOSFET加上电平转换器)的开关延迟与最小PWM脉宽相比应该很小。一个较不明显的潜在问题是晶体管之间开关特性的匹配。例如，如果一个NMOS器件的开启比其对应PMOS的关闭快的多，两种器件的&通&时期就可能在信号边缘出现短时间的重叠。在两种器件都导通的情况下，供电电源本质上是短路的，导致功率效率降低，热耗散增加，并且可能降低供电电压，这将使音频信号失真。
　　最后，设计人员还应该关注MOSFET门电容。大电容会引起RC延迟，放慢晶体管开关速度。此外，这也增加了功率耗散，并使驱动MOSFET的电平转换器发热。由于同样的原因，电平转换器的输入电容也应该很小。
　　某些制造商提供集成输出级，可以直接连接到WM8608输出。这些集成电路(IC)通常包含四个匹配功率MOSFET，并且还控制PWM信号从3.3V(在WM8608输出)到更高电压的电平转换，以便能够正确地开关功率器件。此外，他们还提供内置的短路和过载保护。
　　电源因素
　　线性与开关电源的对比
　　在很多方法中，开关电源相对于传统线性电源越来越多的被使用反映了D类放大器的发展。两者普及性的不断增长都得益于其高功率效率、小尺寸和更低的冷却要求。因此，使用开关电源帮助设计人员得到了D类技术的全部好处。不过，在成本是最重要考虑因素的情况下，D类放大器也可以由常规线性电源供电。
　　开关电源的一个潜在问题是由于快速倒换大电流而引起的电磁干扰(EMI)。当电源和放大器中的不同开关频率发生交调时，这个问题就会恶化，产生在输出中可能听得到的音调。作为PWM控制器中的独特产品，WM8608提供了同步外部电源和芯片上PWM调制器的能力，消除了交调。
　　无论使用何种类型的电源，D类放大器都比线性器件对电源供电质量敏感得多。因此，尽管D类技术几乎肯定能够降低电源要求达50%或更多，实际的电源设计往往还是宁愿更复杂一些。理由很简单：如果在电源和输出之间只有开关(功率MOSFET全通或全关)，供电线上的任何电源或音带波动都将调制输出信号。换句话说，所有数字D类放大器都具有一个0dB的电源供电抑制比;它们本质上将电源用做电压参考。
　　因此，好的负载整流，不仅仅是针对直流而是对于整个音带来说是不可或缺的;不良整流的电源会导致谐波失真。许多制造商提供浮动整流器，可以附加到现有的电源上，以便在必要时改善负载整流。在每个放大器输出使用一个独立的整流器具有降低音频声道之间串扰得额外好处。
　　瞬态行为
　　供电电源的另一个关键指标是其处理瞬态的能力。为了使输出级精确地重现PWM信号，电源必须能够非常快地提高或降低其电流，并且不产生阻尼或降低输出电压。由于输出级的带宽限制在音频范围，线性放大器在这方面的要求更少。因此，一个在线性系统中表现良好的电源可能不适合D类技术。
　　存储电容器是确定电源瞬态行为的最关键元件。首先，其必须保持足够的电荷来防止电流冲击引起供电电压下降，直到整流器发生作用(快速整流器有助于使电容器适当地小)。其次，由于任何寄生电阻或电感都阻止存储电荷的快速传递，必须使用低ESR(有效串联电阻)电容器。添加一个与大的常规电解电容器并联的小的低ESR电容器是不够的：因为所有的输出功率都以短的突发形式提供，所以所有电容都必须是低ESR的。PCB铜迹线上的寄生电阻和电感同样有害，应该通过将存储电容器尽可能靠近输出级放置来尽量降低存储电容。
　　通过安排不同输出级中的MOSFET在不同时间开关，可以缓解对电源瞬态行为的要求。对于这个目标，WM8608的内置&PWM输出阶段&功能在各个输出声道的PWM信号之间引入了160ns的延迟。尽管160ns远不足以在输出中产生听觉差异，这将开关瞬态扩展到了整个PWM周期。在具有六声道的多声道系统
　　中，这种技术大大降低了最大顺势负载，并减少了串扰。
　　EMI和布局的考虑
　　EMI(电磁干扰)是D类放大器设计中永恒的关注点，因为它不得不承载高功率PWM信号的导线发射PWM频率的电磁辐射及其进入射频波带的谐波。长的非屏蔽扬声器电缆本质上就象天线一样。因此，重建滤波器在满足相关规章方面起到重要作用。设计人员经常面临两难境地，即低截止频率的滤波器可以抑制EMI，但是也损耗音频频谱的高端，而高截止频率会保持平坦的频率响应，却要付出增加EMI的代价。高阶滤波器可以满足两种要求，但是更贵，而且会降低功率效率。WM8608提供了内置的数字扬声器均衡器，可以安排为三重放大。这使得使用低截止的低阶重建滤波器，同时仍然保持频率响应在音频范围内平坦成为可能。
　　在放大器内部，可以通过保持输出级和滤波器之间的供电线和连接可行地短而降低EMI。可能的话，这些元件应该与供电电源在同一块PCB上。由于降低了阻性损耗，短而宽的铜迹线也使得放大器的效率更高。在多声道系统中，很难将大量的功率MOSFET靠近电源放置，为了防止串扰，一种在每端具有一个低ESR存储电容器的&星形&连接是非常理想的。
　　系统中可以方便地放置在离其它电路某段距离的地方的部件是PWM控制器。为了防止来自其它系统元件的干扰在PWM信号中引入抖动，WM8608输出可以从标准CMOS电压电平切换到LVDS(低电压差分信号)模式，每条线都用100 &O负载终结。LVDS还降低了电磁辐射以及由长的信号运行引起的RC延迟。
　　测得的性能
　　消费者音频放大器的三个关键指标是总谐波失真(THD)、信噪比(SNR)和功率效率，D类技术相对于模拟技术具有无可争议的优势。对于噪声，D类技术现在在消费者市场上与大多数模拟放大器相当。例如，对于CD重放，SNR的瓶颈通常不在于放大器而在于光盘上的16-bit音频编码。借助更快的PWM开关，SNR在未来可能进一步改善。关键问题是供电电源和输出级是否能够跟上开关速度。这两种元件共同决定了THD，理想情况下应该作为一个单元共同设计。利用WM8608 PWM控制器和稳定而良好整流的电源，在传送1W音频功率时，测量显示THD为0.01% (-80dB)，在30W时则下降到0.1% (-60dB)。还得到了高达90%的效率和超过100dB (A-权重)的SNR。在同等线性放大器一半的功率消耗之下，D类技术达到这样的性能指标，证明其已经发展到了一个在消费者音频业务中无人能够忽视的地步。
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电子元器件应用技术:基于OP放大器与晶体管的放大电路设计
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ISBN：上架时间：出版日期：2006 年6月开本：16开页码：221版次：1-2
所属分类：
本书是“图解实用电子技术丛书”之一，本书详细介绍了运算放大器的内部特性与工作原理，由浅入深、循序渐进。全书共分八章：第1章介绍利用晶体管制作简单的运算放大器；第2章则对通用型运算放大器与简单型运算放大器进行了比较；第3章和第4章介绍利用spice改善运算放大器的特性以及减少晶体管的失真；第5章和第6章分析三种运算放大器的电路结构与设计技巧；第7章介绍高速宽频带运算放大器；第8章则介绍低功耗、高性能cmos型运算放大器。.
本书内容难易适中、图文并茂，可供从事运算放大器内部电路设计的读者使用，也可作为电子、信息工程等专业师生与相关专业科研人员的参考用书。...
1945年 生于日本兵库县；1970年 日本神户大学经济学部(系)毕业；1971年 进人日本电音(株)公司技术部工作；1972年 辞职；现任 黑田电子技术研究所所长。...
第1章 通过亲手制作晶体管电路学习运算放大器1.
1.1 运算放大器的概述1
1.1.1 运算放大器具备的五个基本端子1
1.1.2 两个输入端子与一个输出端子1
1.1.3 运算放大器的放大倍数――差动电压增益avd2
1.1.4 运算放大器的电源电压2
1.1.5 理想运算放大器2
1.2 五晶体管运算放大器的实验3
1.2.1 运算放大器的内含――由晶体管组成的放大电路3
1.2.2 制作五晶体管运算放大器4
1.2.3 五晶体管运算放大器的电路制作5
1.2.4 作为正向放大器的实验8
1.2.5 电压跟随器电路的实验11
1.2.6 反向放大器的实验12
1.3 运算放大器的交流(ac)特性13
1.3.1 最大输出电压振幅相对频率的特性13
1.3.2 转换速率(slew rate)
1.3.3 其他的交流特性14
1.4 运算放大器的直流(dc)特性15
1.4.1 输入偏置电流ib与失调 (offset) 电流iio15
　　笔者开始接触运算放大器(OP Amp)大概是30年前的事，当时仅有单晶体(Monolithic)集成电路(IC)的运算放大器μA 709等数种。发展至今，运算放大器集成电路的类型在选择上已非常多，而且有关运算放大器的专著不胜枚举。然而遗憾的是，这些书籍几乎全都是偏重于运算放大器的使用方法与应用电路的介绍。本人从中虽然获得宝贵的信息，却怀有点美中不足的遗憾。理由是，总觉得在运算放大器的资料手册中，对其类型固有的缺点不作积极地陈述，因此要想使隐藏的缺点显形，惟有透视分析运算放大器的内部电路。.
　　鉴于此，本人数十年来，曾埋头致力于具有显著价值的运算放大器的内部电路分析的工作中。而凡。在对内部电路进行分析时，挖掘出以下的好处：
　　?增强对资料手册的阅读能力；
　　?能够学会基本模拟(Analog)电路的设计方法；
　　?可避免运算放大器的错误使用方法；
　　?对于运算放大器的潜能得以一览无余；
　　?培养对电路的美感，提升对电路设计的意愿。
　　基于此想法(理念)，本书拟按照如下的框架(脚本)来分析运算放大器的内部电路。..
　　第1章：利用五只单个的晶体管制作简单的运算放大器，一面测试基本的特性，同时学习运算放大器的专用术语与工作。
　　第2章：分析具有代表性的通用运算放大器集成电路4558的内部电路，并与第1章的五晶体管运算放大器做比较。
　　第3章：使用电路模拟器(Circuit Simulator)SPICE，改进第1章的五晶体管运算放大器，大幅提升特性。
　　第4章：市场销售的运算放大器集成电路难以实现的高性能放大器，可借助个体晶体管电路进行制作。再者，对由于晶体管寄生电容产生的非线性失真加以计算，并以专门的电路消除失真。
　　第5章：分析阐述Bi-FET型运算放大器与5532型运算放大器，并进行研究。
　　第6章：分析阐述著名的高精度运算放大器与低噪声运算放大器AD797，并研究上乘的电路技巧。
　　第7章：高速且宽频带型运算放大器的分析与应用实例。
　　第8章：对5 V以下的低电压单一电源工作的高性能CMOS型运算放大器的介绍。
　　附录中整理了一些晶体管的基础知识。
　　如果本书对把模拟电路的设计当作目标的学习者，从事运算放大器应用电路的诸位工程师们，以及有兴致想自行制作放大器的爱好者们有所帮助，则深感荣幸。
　　最后，谨向本书执笔期间承蒙热情鼓舞的远坂俊昭，给予发行机会的CQ出版株式会社，在企划与编辑上助一臂之力的蒲生良治先生，深致谢忱。...
　　有感于原著封面及封底的介绍文字，实有让读者一睹之必要，故在此加以引用。.
　　倘若对运算放大器的内部电路加以分析并有所理解的话，必能大大提高对模拟电路的设计能力。
　　本书以迄今罕加详述的市面销售运算放大器IC的内部电路作为论述的焦点，针对如何增大放大倍数，如何实现高精度，怎样致力于实现低噪声，怎样实现高速宽频带化等等彻底进行验证。..
　　而且公开了利用单个晶体管可优于运算放大器IC性能的放大器设计技术，同时介绍电路模拟器在电路设计上的有效利用方法。
　　各位只要一直阅读下去，相信必会感受到模拟电路设计的乐趣，进而掌握放大电路设计的要领。
　　最后，祝读者视野及思维因此书而大为开扩，并祈不吝指正。...
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北京奥维博世图书发行有限公司 china-pub,All Rights Reserved介绍电子元器件的书籍
让各位大侠推荐几本比较基础的，又比较详细的介绍电子元器件的书籍！
09-03-05 & 发布
这个你还是最好上趟新华书店，网上不好找的。
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估计是电容的电压不能突变特性造成的。第二次电容已充满电。漏电电流值偏大是制造工艺的问题。CBB21金属化聚丙烯薄膜电容器，CBB22金属化聚丙烯电容器，CBB23双面金属化聚丙烯电容器，CBB24（CBB24A）金属化聚丙烯电容器，CBB81聚丙烯薄膜电容器，CBB111膜/箔式聚丙烯电容器。
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电子元器件是元件和器件的总称.　　一、元件：工厂在加工产品是没有改变分子成分产品可称为元件，不需要能&电&源的器件。　　它包括：电阻、电容、电感器。（又可称为被动元件Passive Components）　　（1）电路类器件：二极管，电阻器等等　　（2）连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)　　二、器件：工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件　　器件分为：　　1.主动器件，它的主要特点是：(1)自身消耗电能 (2).还需要外界电源。　　2.分立器件，分为（1)双极性晶体三极管（2）场效应晶体管（3）可控硅（4）半导体电阻电容　　 3.模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路， 如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘（除）法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基 准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试，模拟而得到，与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬 件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。　　 4. 数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量，可将数字集成电路分为 小规模集成（ＳＳＩ）电路、中规模集成ＭＳＩ电路、大规模集成（ＬＳＩ）电路、超大规模集成ＶＬＳＩ电路和特大规模集成（ＵＬＳＩ）电路。小规模集成电路 包含的门电路在１０个以内，或元器件数不超过１００个；中规模集成电路包含的门电路在１０～１００个之间，或元器件数在１００～１０００个之间；大规模集 成电路包含的门电路在１００个以上，或元器件数在１０～１０个之间；超大规模集成电路包含的门电路在１万个以上，或元器件数在１０～１０之间；特大规模集 成电路的元器件数在１０～１０之间。它包括：基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP 等。　　三、电子元器件，包括的产品和原材料产品　　⑴继电器 　　| 汽车继电器 | 信号继电器 　　| 固态继电器 | 中间继电器 　　| 电磁类继电器 | 干簧式继电器 　　| 湿簧式继电器 | 热继电器 　　| 步进继电器 | 大功率继电器 　　| 磁保持继电器 | 极化继电器 　　| 温度继电器 | 真空继电器 　　| 时间继电器 | 混合电子继电器 　　| 延时继电器 | 其他继电器 　　⑵二极管 　　| 开关二极管 | 普通二极管 　　| 稳压二极管 | 肖特基二极管 　　| 双向触发二极管 | 快恢复二极管 　　| 光电二极管 | 阻尼二极管 　　| 磁敏二极管 | 整流二极管 　　| 发光二极管 | 激光二极管 　　| 变容二极管 | 检波二极管 　　| 其他二极管 　　⑶三极管 　　| 带阻三极管 | 磁敏三极管 　　| 开关晶体管 | 闸流晶体管 　　| 中高频放大三极管 | 低噪声放大三极管 　　| 低频、高频、微波功率晶体管 | 开关三极管 　　| 光敏三极管 | 微波三极管 　　| 高反压三极管 | 达林顿三极管 　　| 光敏晶体管 | 低频放大三极管 　　| 功率开关晶体管 | 其他三极管 　　⑷电子专用材料 　　| 电容器专用极板材料 | 导电材料 　　| 电极材料 | 光学材料 | 测温材料 　　| 半导体材料 | 屏蔽材料 　　| 真空电子材料 | 覆铜板材料 　　| 压电晶体材料 | 电工陶瓷材料 　　| 光电子功能材料 | 强电、弱电用接点材料 　　| 激光工质 | 电子元器件专用薄膜材料 　　| 电子玻璃 | 类金刚石膜 　　| 膨胀合金与热双金属片 | 电热材料与电热元件 　　| 其它电子专用材料 　　⑸电容器 　　| 云母电容器 | 铝电解电容器 　　| 真空电容器 | 漆电容器 　　| 复合介质电容器 | 玻璃釉电容器 　　| 有机薄膜电容器 | 导电塑料电位器 　　| 红外热敏电阻 | 气敏电阻器 　　| 陶瓷电容器 | 钽电容器 　　| 纸介电容器 | 电子电位器 　　| 磁敏电阻/电位器 | 湿敏电阻器 　　| 光敏电阻/电位器 | 固定电阻器 　　| 可变电阻器 | 排电阻器 　　| 热敏电阻器 | 熔断电阻器 　　| 其它电阻/电位器 　　⑹连接器 　　| 端子 | 线束 | 卡座 　　| IC插座 | 光纤连接器 　　| 接线柱 | 电缆连接器 　　| 印刷板连接器 | 电脑连接器 　　| 手机连接器 | 端子台、接线座 　　| 其他连接器 　　⑺电位器 　　| 合成碳膜电位器 | 直滑式电位器 　　| 贴片式电位器 | 金属膜电位器 　　| 实心电位器 | 单圈、多圈电位器 　　| 单连、双连电位器 | 带开关电位器 　　| 线绕电位器 | 其他电位器 　　⑻保险元器件 　　| 温度开关 | 温度保险丝 　　| 电流保险丝 | 保险丝座 　　| 自恢复熔断器 | 其他保险元器件 　　⑼传感器 　　| 电磁传感器 | 敏感元件 　　| 光电传感器 | 光纤传感器 　　| 气体传感器 | 湿敏传感器 　　| 位移传感器 | 视觉、图像传感器 　　| 其他传感器 　　⑽电感器 　　| 磁珠 | 电流互感器 | 电压互感器 　　| 电感线圈 | 固定电感器 | 可调电感器 　　| 线饶电感器 | 非线饶电感器 　　| 阻流电感器（阻流圈、扼流圈） 　　| 其他电感器 　　⑾电声器件 　　| 扬声器 | 传声器 | 拾音器 　　| 送话器 | 受话器 | 蜂鸣器 　　⑿电声配件 　　| 盆架 | 电声喇叭 | 防尘盖 　　| 音膜、振膜 | 其他电声配件 　　| T铁 | 磁钢 | 弹波 　　| 鼓纸 | 压边 | 电声网罩 　　⒀频率元件 　　| 分频器 | 振荡器 | 滤波器 　　| 谐振器 | 调频器 | 鉴频器 　　| 其他频率元件 　　⒁开关元件 　　| 可控硅 | 光耦 | 干簧管 | 其他开关元件 　　⒂光电与显示器件 　　| 显示管 | 显像管 | 指示管 　　| 示波管 | 摄像管 | 投影管 　　| 光电管 | 发射器件 | 其他光电与显示器件 　　⒃磁性元器件 　　| 磁头 | 铝镍磁钢永磁元件 　　| 金属软磁元件（粉芯） | 铁氧体软磁元件（磁芯） 　　| 铁氧体永磁元件 | 稀土永磁元件 　　| 其它磁性元器件 　　⒄集成电路 　　| 电视机IC | 音响IC | 电源模块 　　| 影碟机IC | 录像机IC | 电脑IC 　　| 通信IC | 遥控IC | 照相机IC 　　| 报警器IC | 门铃IC | 闪灯IC 　　| 电动玩具IC | 温控IC | 音乐IC 　　| 电子琴IC | 手表IC | 其他集成电路 　　⒅电子五金件 　　| 触点 | 触片 | 探针 　　| 铁心 | 其他电子五金件 　　⒆显示器件 　　| 点阵 | led数码管 | 背光器件 　　| 液晶屏 | 偏光片 | 发光二极管芯片 　　| 发光二极管显示屏 | 液晶显示模块 　　| 其他显示器件 　　⒇蜂鸣器 　　四、电子元器件质量要求　　质量方面现在国际上面有中国的CQC认证，美国的UL和CUL认证，德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证，来保证元器件的合格。 　　五、常用电子元器件的识别　　一、电阻　　电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为　　分流、限流、分压、偏置等。　　1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算　　方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧　　电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。　　a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：　　472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100K　　b、色环标注法使用最多，现举例如下：　　四色环电阻 五色环电阻（精密电阻） 　　2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：　　颜色 有效数字 倍率 允许偏差（%）　　银色 / x0.01 ±10　　金色 / x0.1 ±5　　黑色 0 +0 /　　棕色 1 x10 ±1　　红色 2 x100 ±2　　橙色 3 x1000 /　　黄色 4 x10000 /　　绿色 5 x100000 ±0.5　　蓝色 6 x1000000 ±0.2　　紫色 7 x ±0.1　　灰色 8 x /　　白色 9 x /　　二、电容　　1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金　　属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。　　电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交　　流信号的频率和电容量有关。　　容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)　　电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容　　等。2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3　　种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法　　（nF）、皮法（pF）。　　其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法　　容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V　　容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示　　字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 　　数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。　　如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF3、电容容量误差表　　符 号 F G J K L M　　允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%　　如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。　　三、晶体二极管　　晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 　　1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；　　而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常　　把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。　　电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如　　1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。　　2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用　　一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有　　采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识　　别，长脚为正，短脚为负。　　3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极　　管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好　　相反。　　4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：　　型号 1N2 1N4 1N6 1N4007　　耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000　　电流（A） 均为1　　四、稳压二极管　　稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。　　1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。　　这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电　　压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。　　2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，　　前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。　　常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：　　型 号 1N9 1N2 1N4 1N4 1N1 　　1N4761　　稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V　　五、电感　　电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。　　电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。　　直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈　　两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所　　以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡　　电路。　　电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）　　的电感。 　　电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。 　　六、变容二极管　　变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一　　原理专门设计出来的一种特殊二极管。　　变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高　　频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管　　的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。　　（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对　　方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。　　七、晶体三极管　　晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。　　1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。　　它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路　　中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。　　电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、、　　等型号。　　2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比　　较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。　　名称 共发射极电路 共集电极电路（射极输出器） 共基极电路　　输入阻抗 中（几百欧～几千欧） 大（几十千欧以上） 小（几欧～几十欧）　　输出阻抗 中（几千欧～几十千欧） 小（几欧～几十欧） 大（几十千欧～几百千欧）　　电压放大倍数 大 小（小于1并接近于1） 大　　电流放大倍数 大（几十） 大（几十） 小（小于1并接近于1）　　功率放大倍数 大（约30～40分贝） 小（约10分贝） 中（约15～20分贝）　　频率特性 高频差 好 好　　续表　　应用 多级放大器中间级，低频放大 输入级、输出级或作阻抗匹配用 高频或宽频带电路及　　恒流源电路　　八、场效应晶体管放大器　　1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备　　中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。　　2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的　　表示符号：3、场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流　　的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应　　选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流　　子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 　　（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把　　很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。　　------------------------------------------------------------------------------------------------------------------　　1）电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。按分类标准，电子元件可分为11个大类。 　　2）电子器件：指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等），所以又称
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 根据IPC-M190& J-STD-033标准，在高湿空气环境暴露后的SMD元件，必需将其放置在10%RH湿度以下的干燥箱中放置暴露时间的10倍时间，才能恢复元件的“车间寿命”，避免报废，保障安全。&br& （2） 液晶器件：液晶显示屏等液晶器件的玻璃基板和偏光片、滤镜片在生产过程中虽然要进行清洗烘干，但待其降温后仍然会受潮气的影响，降低产品的合格率。因此在清洗烘干后应存放于40%RH以下的干燥环境中。&br& &br& （3） 其它电子器件：电容器、陶瓷器件、接插件、开关件、焊锡、PCB、晶体、硅晶片、石英振荡器、SMT胶、电极材料粘合剂、电子浆料、高亮度器件等，均会受到潮湿的危害。&br& &br& （4） 作业过程中的电子器件：封装中的半成品到下一工序之间；PCB封装前以及封装后到通电之间；拆封后但尚未使用完的IC、BGA、PCB等；等待锡炉焊接的器件；烘烤完毕待回温的器件；尚未包装的产成品等，均会受到潮湿的危害。&br& （5） 成品电子整机在仓储过程中亦会受到潮湿的危害。如在高湿度环境下存储时间过长，将导致故障发生，对于计算机板卡CPU等会使金手指氧化导致接触不良发生故障。&br& 电子工业产品的生产和产品的存储环境湿度应该在40％以下。有些品种还要求湿度更低。&br& 二、企业如何用现代化的手段管理电子产品的存放环境&br& 综上所述，湿度是企业产品质量的致命敌人，那么，企业应该如何来管理电子产品的存放湿度呢？我们先来分析一下，电子产品的生产全过程。电子产品的生产大致可以分成以下几个步骤：&br& &br& &br& &br&
 由上面的流程图可以看出，企业应该着重管理原料仓库、生产车间、成品仓库和运输车辆的温湿度。那企业应该怎么来管理呢？传统的管理办法就是：由仓管员或管理人员不定时查看、记录仓库和车间的湿度值，发现异常情况即使用加湿或除湿设备控制仓库、车间的湿度。这样的管理办法比较费时间和人力，而且记录的数据因为有人为的因素，数据不是很客观，这样的方法不太符合现代化企业管理的要求；而在物流方面，企业基本没有办法管理运输车辆上的温湿度变化。那么能有什么样的方法才能使企业管理既科学又规范呢？其实很简单，这些都可以由温湿度自动记录仪来帮你做到！&br& 下面我以浙江大学电气设备厂生产的温湿度自动记录仪ZDR-20为例简要介绍温湿度记录仪在电子产品存放中的应用：ZDR-20型温湿度记录仪由三大部分组成：测量部分、仪器本体、PC界面。&br& 测量部分：即温度传感器和湿度传感器。温度传感器：ZDR-20系列温度探头由NTC系列组成，其测量范围为-40～100℃，测量精度为±0.2～±0.5℃；湿度传感器采用美国进口霍尼威尔湿度传感器，其测量范围为0～100%RH，精度为±2～±3% RH。&br& 仪器本体：ZDR-20型记录仪，通过探头进行测量，将数据存储并传输至PC，其存储容量为9898组数据（温度、湿度各9898点），记录间隔为2秒至24小时连续可调（由PC软件调整），防护：密闭、防水。仪器尺寸：58mm*72mm*29mm（香烟盒大小）。&br& PC界面：ZDR软件。软件支持是记录仪不可或缺的一部分，其主要功能为：设定记录间隔（2秒～24小时任意可调），设定停止方式，设定启动时间，读取数据并显示测量数据、历史曲线等，提供打印功能，把数据转化为EXCEL、WORD文档形式或ACCESS数据库等功能。&br& ZDR-20系列温湿度记录仪可以分为单机版和多机版两个产品，单机版就是在每个仓库、车间和运输车辆上均独立放置一台ZDR-20型温湿度记录仪，由企业品管部门统一对它进行设置、查看、存储和处理历史温湿度数据，记录仪亦可选配报警器，在温湿度任意超标的情况下，记录仪会自动提供警报信号，提醒企业环境超标了，非常灵活方便；&br&
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你应该再详细一点，把元件范围缩小一点说不定有人 会有这方面的书籍！ 网上的内容我帮你找了些！1常用电子元器件介绍a href=&.blogone/wzfl/article/22.shtml& target=&_blank&.blogone/wzfl/article/22.shtml/a2电子元器件基础知识介绍a href=&blog.hjenglish/lilacdiamond/archive//273425.html& target=&_blank&blog.hjenglish/lilacdiamond/archive//273425.html/a3相关图片a href=&.ic639/product/list/002-245.html& target=&_blank&.ic639/product/list/002-245.html/a^_^！
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元器件识别与检测一、             电位器读值 电位器的阻值可以零连续变到标称阻值，它有三个引出接头，两端接头的阻值就是标称阻值。中间接头可随轴转动，使其与两端头间的阻值改变。电位器的型号、标称阻值，功率等都印在电位器外壳上。标称值读数，第一、第二位数值表示电阻的第一第二位，第三位表示倍乘数10n 204                  20×104=200KΩ 105                  10×105=1000KΩ 二、             电解电容：1．管脚识别：  长 +    短 2．质量判别： ①电解电容两个管脚搭接，使电解电容短路放电； ②用万用表R×1K档红、黑表笔接电容正、负极；③检查容量大小。接上万用表瞬间，电容充电表针向右摆动，表针幅度越来越大，电解电容容量越大； ④检查漏电程度。随着电容的放电，表针又向左摆回，最后停在某一位置。若表针停在∞处，说明电容漏电很小，测不出来。一般应大于几KΩ。漏电电阻极小，说明电容质量越好。  ⑤电容已坏：在测试中，若表针始终停在∞位置，表明电容内部已开路断开。若在0处，表明电容被击穿，内部短路。三、             二极管： 1个PN结构成，单向导电①     万用表选用R×1K档（R×1档电流太小，R×10K电压太高，易损坏二极管） ②   好坏判断：两表笔分别接于二极管两端，测得一阻值，再对调两笔，测得另一阻值。二极管正向电阻很小（大约几十欧-几百欧姆），反向电阻很大（几十KΩ-几百KΩ）若正、反向电阻值相差很大，说明管子单向导电*能好，若两次值均很小或很大，则管子质量有问题。（很小，击穿短路，很大，开路）。③   正负极判断。阻值较小一次中黑表笔接的管脚是二极管正极，红表笔接的管脚是负极。 & 四、             三极管： (1).判断三极管基极 由于基极与发射极，基极与集电极之间分别是两个PN结，它们之间反向电阻都很大。正向电阻都很小，所以用万用表欧姆档（R×100或R×1K档）判别。
 步骤：①b极判别：先将任一表笔接到某一个认定的管脚上，如果测量得的阻值若一大一小，则可知它不是基极。都很大（或很小），再对换表笔，重复上述测量时，阻值恰与上述相反，都很小（或很大）。则可断定所认定的管脚为基极。若不符合上述结果，应另换一个认定管脚重新测量。直至符合。（2）PNP、NPN判别： 测量时注意极*（管脚和表笔），当黑表笔接在基极，红表笔接在其它两极时，测得的电阻值都较小，则可判定该三极管为NPN型，反之，当红表笔接在基极，黑表笔接到其它两极时，测得的电阻值较小由可判定该三极管的PNP型。 （3）判断集电极和发射极： 基本原理：把三极管接成基本单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数β的大小来判断集电极和发射极。 （4）好坏：如果三极管两个PN结正向电阻与反向电阻都很大（开路）或都很小（短路）则说明三极管已经损坏。NPN型:将黑表笔接于一个待测的管脚，红表笔接另一个管脚，基极悬空，然后将黑表笔所接管脚与基极用手捏住（注意不能使其相碰，这时在黑表笔与基极间串入人体电阻），表针会有一个偏转角（α1）。接着，更换黑红表笔，重复上述过程。记录偏转角β变化，对于偏转角大者，则其黑表笔所接管脚便为集电极，红表笔所接管脚为发射极。
NPNP型： : 与NPN型三极管判断c、e极原理一样，不同的是行后两次都用手捏住，经表笔与基极，观察表针偏转情况。指针偏转角的大小一次红表笔所接管脚为集电极，黑表笔所接管脚为发射极。 五、             可控硅管脚、好坏、触发能力判别： 晶闸管有三个电极，即阳极、阴极和控制极。用万用表测量极间电阻的方法可以判断其好坏，触发能力及管脚。(1)好坏判别： ①R×100档，测量晶闸管阳极与阴极间正反向电阻值，正常晶闸管正反向电阻值都应在几百千欧以上，若只有几欧或几十欧姆，则说明晶闸管已短路损坏。② R×10档或R×1位置。控制极与阴极间的正向电阻应很小（几十欧姆），反向电阻应很大（几十至几百千欧），但有时由于控制极PN结特*并不太理想，反向不完全呈阻断状态，故有时测得的反向电阻不是太大（几KΩ或几十KΩ）这并不能说明控制极特*不好。测试时，如果控制极与阴极间的正反向电阻都很小（接近零）或极大，说明晶闸管已损坏。(2)管脚判别：对于晶闸管，只有控制极与阴极之间是一个PN结，具有正向导通，反向阻断特*。利用这个特*，将用万用表转换开关置于R×1K档，任意测量两个管脚的正反向电阻，当有两个管脚之间的电阻很小时，黑表笔所接管脚便为控制极，红表笔所接管脚为阴阳极，剩下的一个管脚便是阳极。(3)触发能力：①将万用表量程拨至R×1档，将黑表笔接阳极，红表笔接阴极，记下表针位置。 ②然后用一导线或通过开关，将晶闸管阳极与控制极短路一下（这相当于给控制极加上控制电压）晶闸管导通，表针读数为几-几十欧。 ③再把导线断开，若读数不变，说明晶闸管良好。本法仅适用于小容量晶闸管，对于中容量和大容量晶闸管可在万用表R×1档上，再串联一两节能1.5V电池测试。
      六单结晶体管管脚判别：_①发射极e：万用表置于R×1K档，任意测量两个管脚间的正反向电阻，其中必有两个电极间的正反向电阻是相等的（这两个管脚分别为第一基极b1和第二基极b2）。则剩余一个管脚为发射极e。（∵单结晶体管是在一块高电阻率的N型硅半导体基片上引出两个欧姆接触的电极作为两个基极b1和b2，b1和b2之间的电阻就是硅片本身的电阻，正反向电阻相同约为3-10KΩ）②b1、b2极：测量发射极与某一基极间的正向电阻，阻值较大的为b1，阻值较小的为b2。如何用万用表辨别单结晶体管和普通晶体三极管（NPN）？单结晶体管不但外形与普通三极管相似，而且与NPN三极管测量时也有相似之处，单晶体管（双基二极管）的发射极e对两个基极b1b2均呈现PN结的正向特*。正小反大，与普通NPN型晶体管特*一样，利用单晶管的b1与b2之间没有PN结的特*，可以与普通NPN管相区别。b1与b2间正反向电阻都一样约为3-10KΩ，而NPN型晶体管的集电极与发射极之间是一个正向PN结和一个反向PN结串联，用万用表测量时正反向阻值都很大。七、             桥堆好坏与管脚判别： 1好坏：利用桥堆相邻两个管脚步间都一个PN结（正向导通，反向阻断）如果有相邻两个管脚正反向电阻都无穷大（开路）或很小接近0（短路）情况，桥堆已经损坏。 管脚：万用表R×1K选定一管脚接到用万用表黑表笔上，红表笔则分别接到其余三个管脚。如果3个阻值都很小，则所选定管脚为桥堆输出负极端，若有大有小，则为桥堆输入电源端。 八、稳压二极管好坏及稳压值判断 ①好坏，正负极：与普通二极管一样 ②稳定值确定
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