晶体管开关是怎么用做开关的

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PNP 三极管怎么做开关
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我用补水霜的园形胶瓶子做夜灯,设计盖子盖紧就关,盖子旋松就开。开关就用DvD转向小开关,安下去就通,平常都是关的,不能自锁。自锁的开关麻烦。把小开关用热融胶沾在瓶壁上,安的部分露出来,盖子盖紧就把安的部分压下去了,开关就通了。怎么能让开关通LED就关,开关关LED就开
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貌似沙发没看懂。
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原来学过,许久不用已经都还给给老师了
签到天数: 32 天连续签到: 1 天[LV.5]常住居民I
多大电流?有开关直接用不行?
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就是和平常倒着,开关打开电路就没电,开关关了电路就有电
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就是想把DvD无锁开关利用上,那个开关很小。图的就是意境,有自锁就没那种感觉了。那个开关平常都是断开的,沾在瓶壁上,轻触部分突出来,瓶子盖盖紧LED就打开了。我想瓶盖盖紧LED 就关,放在口袋里这样能防止误触碰打开。这样就很方便,很有感觉
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就是想把DvD无锁开关利用上,那个开关很小。图的就是意境,有自锁就没那种感觉了。那个开关平常都是断开的,沾在瓶壁上,轻触部分突出来,瓶子盖盖紧LED就打开了。我想瓶盖盖紧LED 就关,放在口袋里这样能防止误触碰打开。这样就很方便,很有感觉
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用PNP三极管的话很简单啊,再加个100K的电阻就行了。
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我试过了,用的4V电压,PNP三极管用的是8050,发光二极管用的多头手电筒里拆下的。合上开关灯灭,电流微乎其微,打开开关,灯亮,电流10MA.
签到天数: 932 天连续签到: 67 天[LV.10]以坛为家III
不懂,看看
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9楼正解。NPN也可以的。电路差不多。
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8050是NPN吧,我以前在介绍三极管原理的视频看到过用PNP 三极管组成这样的开关,现在忘了。NPN&&三极管开关特性不是这样,用的过程中肯定要耗电。PNP 三极管能直接切断CE极通断,这样不耗电。
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8050是NPN吧,我以前在介绍三极管原理的视频看到过用PNP 三极管组成这样的开关,现在忘了。NPN&&三极管开关特性不是这样,用的过程中肯定要耗电。PNP 三极管能直接切断CE极通断,这样不耗电。
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10mA会不会不怎么亮,不加三极管直接接电池肯定不止10mA
签到天数: 1 天连续签到: 1 天[LV.1]初来乍到
楼上错了,做这样的小电流开关用,PNP和NPN没有差别。
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不是平常小电流控制大电流那种开关,是有电流电路就断电,没电流电路就通电
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本帖最后由 hfjwdavi 于
22:52 编辑
<font color="#5764402 发表于
8050是NPN吧,我以前在介绍三极管原理的视频看到过用PNP 三极管组成这样的开关,现在忘了。NPN&&三极管开关 ...
是的,挺仔细的,哈。手误!心里想着8550,却打成了8050,也没回头检查,粗心了。另外不论是PNP型还是NPN型,都可以做,电路有点区别,原理都一样,效果也一样。
以上言论纯属个人观点,与手电大家谈立场无关。
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摘要:   晶体三极管除了可作为放大器件应用于各种模拟电路中外,还可以作为开关器件应用在数字电路中。以双极型晶体三极管为例,由于静态工作点的位置不同,晶体管有三种工作状态。  1.放大状态  如图1所示,当晶体 ...
  晶体除了可作为放大器件应用于各种模拟电路中外,还可以作为开关器件应用在数字电路中。以双极型晶体三极管为例,由于静态工作点的位置不同,晶体管有三种工作状态。  1.放大状态  如图1所示,当晶体管静态工作点处于输出特性曲线的平坦部分即放大区时,晶体管工作在放大状态,此时的特征为:  (1) 发射结处于正向偏置(VBE>0),集电结处于反向偏置(VBC<0),如图2(a)所示。
图1 双极型三极管的三种工作区
            (2) 集电极电流是基极电流的β倍,即IC=βIB  2.饱和状态  如果调小基极偏置电阻RB,使基极电流IB增加,则工作点Q将向上移动。当工作点移到Q1位置时则已到达特性曲线的弯曲部分,如图1所示。如果再继续增加IB,则集电极电流IC已增加得很少,两者在大小关系上不再满足IC=βIB,而是IC<βIB,这时,晶体管就失去电流放大作用,进入饱和区。  当晶体管工作在饱和状态时,其输出电压VCE已减到很小,对NPN型硅管而言,VCE=VCE(sat)≈0.3V,比VBE(sat)(约为0.7V)还要小。即集电极电位比基极电位低,集电结已转为正向偏置,如图2(b)所示。所以射结集结均正偏是判断三极管饱和的重要特征。饱和时的集电极电流IC(sat)可由下式估算:  
图2 双极型晶体管的三种工作状态(a)放大;(b)饱和;(c)截止
  综上所述,晶体管工作于饱和状态时:  ,这是饱和的条件;发射结和集电结都处于正向偏置; 、 
 3.截止状态  如果减小IB,则工作点向下移动。当IB=0时,工作点移至Q2,如图1所示。这时IC=ICEO≈0, VCE≈VCC,晶体管处于截止状态。IB=0的曲线以下的区域是晶体管的 截止工作区。  实际上,考虑到晶体三极管发射结的结电压,对硅管而言,VBE<0.5V时已开始截止。为了保证可靠截止,常使VBE=0或加反向偏置。因此,射结集结均反偏是晶体管截止时的基本特征,如图2(c)所示。  双极型晶体管结电压的典型数据列于表1中。              表1 双极型晶体管结电压的典型数据                   由以上的分析可知,如果我们把晶体管的集电极、发射极之间等效成一个开关,当晶体管饱和时,VCE(sat) ≈0,如同电子开关被接通,其间电阻很小;当晶体管截止时,IC≈0,如同电子开关被断开,其间电阻很大。这就是晶体管的开关作用。数字电路就是利用晶体管的开关作用进行工作的。
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工作在截止和饱和区.
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硬件电路设计(33)
1.基极必须串接电阻,保护基极,保护CPU的IO口。
2.基极根据PNP或者NPN管子加上拉电阻或者下拉电阻。
3.集电极电阻阻&#20540;根据驱动电流实际情况调整。同样基极电阻也可以根据实际情况调整。
基极和发射极需要串接电阻,该电阻的作用是在输入呈高阻态时使晶体管可靠截止,极小&#20540;是在前级驱动使晶体管饱和时与基极限流电阻分压后能够满足晶体管的临界饱和,实际选择时会大大高于这个极小&#20540;,通常外接干扰越小、负载越重准许的阻&#20540;就越大,通常采用10K量级。
防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作,使晶体管截止更可靠!三极管的基极不能出现悬空,当输入信号不确定时(如输入信号为高阻态时),加下拉电阻,就能使有效接地。
特别是GPIO连接此基极的时候,一般在GPIO所在IC刚刚上电初始化的时候,此GPIO的内部也处于一种上电状态,很不稳定,容易产生噪声,引起误动作!加此电阻,可消除此影响(如果出现一尖脉冲电平,由于时间比较短,所以这个电压很容易被电阻拉低;如果高电平的时间比较长,那就不能拉低了,也就是正常高电平时没有影响)!
但是电阻不能过小,影响泄漏电流!(过小则会有较大的电流由电阻流入地)
当三极管开关作用时,ON和OFF时间越短越好,为了防止在OFF时,因晶体管中的残留电荷引起的时间滞后,在B,E之间加一个R起到放电作用。
参考知识库
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