问题1：如何用数字式万用表检测场效应管的好与坏？问题2：如何用数字式万用表判断场效应管的D、S、G极？问题3：如何用数字式万用表判断场效应管的类型（是N沟道还是P沟道）？
大大皢痌諡
教你一个简单实用的方法...N沟道:1.红表笔接第一个脚.黑表笔分别接其它两个脚.此时万用表上没有读数.也就是说没有反应.那么红表笔接的是G极..2.红表笔接第2个脚黑表笔接第3个脚,有读数.也就是说是通的.红表笔不动.黑表笔接到G极(已经测出来了).然后黑表笔再接第三个脚.发现不通了.(这说明管子9.9成是好的).(第2个脚和第三个脚是通的是因为第一个步骤已经给它充电了.后来不通是因为红表笔接第2个脚黑表笔接第一个脚的时候已经给它放电了).3.红表笔接第3个脚.黑表笔接第2个脚.有读数.那么此时红表笔接的是S极.黑表笔接的是D极.
为您推荐：
用二极管档,一般只要没击穿就是好的,不同型号的场效应管内部结构不一样,去ALLDATE上查资料就性了,至于什么沟道就不重要了,重要的是耐压和额定电流,
扫描下载二维码第一篇:场效应管的作用场效应管的作用及测试
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦 合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输 入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极， 源极和漏极分别对应于晶体管的发射 极和集电极。将万用表置于 R×1k 档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反 向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数 KΩ 时，则这两个管脚为 漏极 D 和源极 S（可互换），余下的一个管脚即为栅极 G。对于有 4 个管脚的结 型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两 次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于 N 沟道场效应管，黑表笔接 的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响 电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极 高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形 成很高的电压，容易将管子损坏。3、 估测场效应管的放大能力 将万用表拨到 R×100 档， 红表笔接源极 S， 黑表笔接漏极 D，相当于给场效应管加上 1.5V 的电源电压。这时表针指示出的 是 D-S 极间电阻值。然后用手指捏栅极 G，将人体的感应电压作为输入信号加到 栅极上。由于管子的放大作用，UDS 和 ID 都将发生变化，也相当于 D-S 极间电 阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小， 说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的 50Hz 交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的 工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数 的管子 RDS 减小，使表针向右摆动，多数管子的 RDS 增大，表针向左摆动。无论 表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法 也适用于测 MOS 管。为了保护 MOS 场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用 金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。MOS 管每次测量完毕，G-S 结电容上会充有少量电荷，建立起电压 UGS，再 接着测时表针可能不动，此时将 G-S 极间短路一下即可。
多个 IRFP450 场效应管并联起什么作用？漏级或源级接的是 DC220V IRFP450 是 NMOS 场效应管,反压 Vbe0 是 500V, 电流 Icm 是 14A 功率 Pcm 是 180W。
两 个 IRFP450 场 效 应 管 并 联 起 到 电 流 增 加 一 倍 ， 三 个 就 三 倍 ， 四 个 就 四 倍～～～～～
第一篇:场效应管的作用场效应管的作用、 场效应管的作用、规格及分类
1.什么叫场效应管？ 1.什么叫场效应管？ 什么叫场效应管 FET 是 Field-Effect-Transistor 的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体 管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此 称为双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为 单极型晶体管。FET 应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用 FET 替代。然而，由于 FET 的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术 性能非常好的电路。场效应管的工作原理 管的工作原理2. 场效应管的工作原理：
(a) JFET 的概念图
(b) JFET 的符号 图 1(b)门极的箭头指向为 p 指向 n 方向，分别表示内向为 n 沟道 JFET，外 向为 p 沟道 JFET。图 1 （a） 表示 n 沟道 JFET 的特性例。以此图为基础看看 JFET
的电气特性的特点。首先，门极-源极间电压以 0V 时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源极间 电压 VDS 从 0V 增加，漏电流 ID 几乎与 VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和 区。VDS 达到某值以上漏电流 ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的 ID 称 为饱和漏电流（有时也称漏电流用 IDSS 表示。与此 IDSS 对应的 VDS 称为夹断 电压 VP ，此区域称为饱和区。其次在漏极-源极间加一定的电压 VDS (例如 0.8V)，VGS 值从 0 开始向负方向增加，ID 的值从 IDSS 开始慢慢地减少，对某 VGS 值 ID =0。将此时的 VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用 VGS (off)示。n 沟道 JFET 的情况则 VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的 JFET 对应 ID =0 的 VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号 JFET 时,将达到 ID =0.1-10μA 的 VGS 定义为 VGS (off) 的情况多些。关于 JFET 为什么表示这样 的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是&漏极-源极间流经沟道的 ID ，用以门 极与沟道间的 pn 结形成的反偏的门极电压控制 ID &。更正确地说，ID 流经通路 的宽度，即沟道截面积，它是由 pn 结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的 缘故。在 VGS =0 的非饱和区域，图 10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大， 根据漏极-源极间所加 VDS 的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极 向源极有电流 ID 流动。达到饱和区域如图 10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展
的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID 饱和。将这种状态称为夹断。这意味着 过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空 穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时 漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移 电场拉去的高速电子通过过渡层。如图 10.4.1(b)所示的那样，即便再增加 VDS ，因漂移电场的强度几乎不变产生 ID 的饱和现象。其次，如图 10.4.2(c) 所示，VGS 向负的方向变化，让 VGS =VGS (off) ，此时过渡层大致成为覆盖全 区域的状态。而且 VDS 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电 场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。3.场效应管的分类和结构3.场效应管的分类和结构场效应管的分类和结构 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个 PN 结 而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目 前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是 MOS 场效应管，简称 MOS 管（即金 属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET）；此外还有 PMOS、NMOS 和 VMOS 功率场效 应管，以及最近刚问世的 πMOS 场效应管、VMOS 功率模块等。按沟道半导体材 料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和 P 沟道两种。若按导电方式来划分，场效 应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既 有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效 应晶体管。而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型；P 沟耗尽型和增强 型四大类。见下图。
4、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母 J 代表结型场效应管， 代表绝缘栅场效应管。O 第二位字母代表 材料， 是 P 型硅， D 反型层是 N 沟道；C 是 N 型硅 P 沟道。例如,3DJ6D 是结型 N 沟道场效应三极管， 3DO6C 是绝缘栅型 N 沟道场效应三极管。第二种命名方法是 CS××#，CS 代表 场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A、CS45G 等。5、场效应管的参数 场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时 关注以下主要参数1. IDSS ― 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压 U GS=0 时的漏源电流。2. UP ― 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止 时的栅极电压。3. UT ― 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极 电压。4. gM ― 跨导。是表示栅源电压 U GS ― 对漏极电流 I D 的控制能力，即 漏极电流 I D 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值。gM 是衡量场效应管 放大能力的重要参数。5. BUDS ― 漏源击穿电压。是指栅源电压 UGS 一定时，场效应管正常工作所 能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压 必须小于 BUDS。6. PDSM ― 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时 所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并 留有一定余量。7. IDSM ― 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏 源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 IDSM 6、场效应管的作用 1. 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合 电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入 级作阻抗变换。3. 场效应管可以用作可变电阻。4. 场效应管可以方便地用作恒流源。5. 场效应管可以用作电子开关。7、常用场效用管 1、MOS 场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为 MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层， 因此具有很高的输
入电阻（最高可达 1015Ω）。它也分 N 沟道管和 P 沟道管，符号如图 1 所示。通常是将衬底（基板）与源极 S 接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET 又分 增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当 VGS=0 时管子是呈截止状态，加上正确的 VGS 后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电 沟道。耗尽型则是指，当 VGS=0 时即形成沟道，加上正确的 VGS 时，能使多数载 流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。以 N 沟道为例，它是在 P 型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区 N+和 漏扩散区 N+，再分别引出源极 S 和漏极 D。源极与衬底在内部连通，二者总保持 等电位。图 1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从 P 型材料（衬底）指 身 N 型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使 VGS=0 时，沟道电流（即漏 极电流）ID=0。随着 VGS 逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就 感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的 N 型沟道，当 VGS 大于管子的 开启电压 VTN（一般约为+2V）时，N 沟道管开始导通，形成漏极电流 ID。
国产 N 沟道 MOSFET 的典型产品有 3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管）， 4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图 2。MOS 场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电 容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电 容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一 起，或装在金属箔内，使 G 极与 S 极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时， 全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。MOS 场效应管的检测方法 （1）．准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触 MOSFET 的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通， 使人体与大地保持等电位。再把管脚分开， 然后拆掉导线。（2）．判定电极 将万用表拨于 R×100 档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的 电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极 G。交换表笔重测量，S-D 之间的电阻值应 为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为 D 极，红表笔接的是 S 极。日本生产的 3SK 系列产品，S 极与管壳接通，据此很容易确定 S 极。（3）．检查放大能力（跨导） 将 G 极悬空，黑表笔接 D 极，红表笔接 S 极，然 后用手指触摸 G 极，表针应有较大的偏转。双栅 MOS 场效应管有两个栅极 G1、 G2。为区分之，可用手分别触摸 G1、G2 极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为 G2 极。目前有的 MOSFET 管在 G-S 极间增加了保护二极管，平时就不需要把各 管脚短路了。MOS 场效应晶体管使用注意事项。
MOS 场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS 场效应晶体管 由于输入阻抗高 （包括 MOS 集成电路） 极易被静电击穿， 使用时应注意以下规则1. MOS 器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑 料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装 2. 取出的 MOS 器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。3. 焊接用的电烙铁必须良好接地。4. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再 MOS 器件焊接完成后在分 开。5. MOS 器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。6. 电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把 电路板接上去。7. MOS 场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电 路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。2、VMOS 场效应管 VMOS 场效应管（VMOSFET）简称 VMOS 管或功率场效应管，其全称为 V 型槽 MOS 场效应管。它是继 MOSFET 之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅 继承了 MOS 场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右 0.1μA 左右）， 还具有耐压高（最高可耐压 1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高 （1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与 功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、 功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。众所周知，传统的 MOS 场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平 面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS 管则不同，从左下图 上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用 V 型槽结构；第二，具有垂直 导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以 ID 不是沿芯片水平流动，而是自 重掺杂 N+区（源极 S）出发，经过 P 沟道流入轻掺杂 N-漂移区，最后垂直向下 到达漏极 D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电 流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型 MOS 场效 应管。国内生产 VMOS 场效应管的主要厂家有 877 厂、天津半导体器件四厂、杭州 电子管厂等，典型产品有 VN401、VN672、VMPT2 等。VMOS 场效应管的检测方法 （1）．判定栅极 G 将万用表拨至 R×1k 档分别测量三个管脚之间的电阻。若发 现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚 为 G 极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。（2）．判定源极 S、漏极 D 由图 1 可见，在源-漏之间有一个 PN 结，因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异，可识别 S 极与 D 极。用交换表笔法测两次电阻， 其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的 是 S 极，红表笔接 D 极。（3）．测量漏-源通态电阻 RDS（on）将 G-S 极短路，选择万用表的 R×1 档， 黑表笔接 S 极，红表笔接 D 极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，
测出的 RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用 500 型万用表 R×1 档实测一只 IRFPC50 型 VMOS 管，RDS（on）=3.2W，大于 0.58W（典型值）。（4）．检查跨导 将万用表置于 R×1k（或 R×100）档，红表笔接 S 极，黑表笔 接 D 极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈 高。注意事项1. VMOS 管亦分 N 沟道管与 P 沟道管，但绝大多数产品属于 N 沟道管。对于 P 沟道管，测量时应交换表笔的位置。2. 有少数 VMOS 管在 G-S 之间并有保护二极管，本检测方法中的 1、2 项不再 适用。3. 目前市场上还有一种 VMOS 管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使 用。例如美国 IR 公司生产的 IRFT001 型模块，内部有 N 沟道、P 沟道管 各三只，构成三相桥式结构。4. 现在市售 VNF 系列（N 沟道）产品，是美国 Supertex 公司生产的超高频 功率场效应管，其最高工作频率 fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小 信号低频跨导 gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。5. 使用 VMOS 管时必须加合适的散热器后。以 VNF306 为例，该管子加装 140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到 30W 8、场效应管与晶体管的比较 1. 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源 取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信 号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。2. 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即 有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。3. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶 体管好。4. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作， 而且它的制造工艺可以 很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上， 因此场效应管在大规模集成 电路中得到了广泛的应用。
常用场效应管（ 常用场效应管（25N120 等）参数及代换
FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A
FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460 KA3162/FAN8800 （Drive IC） 单 IGBT/MOSFETFET 驱动 IC RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860 RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560 RHRP8120 （快恢复二极管） W/TO220 RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220 RHRP30120 （快恢复二极管） 5W/TO220 单 DSEI20-10A RHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03P SSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260 FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264 快速 IGBT FGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264 快速 IGBT 1MBH60-100 HGTG10N120BND （IGBT） 8W/100ns/TO247 HGTG11N120CND （IGBT） 8W/TO247 HGTG18N120BND （IGBT） 0W/90ns/TO247 FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于 35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于 35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于 75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于 75W FQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于 75W/125W 产品 FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于 75W/125W 产品 FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于 35W FQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于 150W 到 250W 的产品 FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于 150W 左右的产品
FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于 250WG 到 400W 的产 品 FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于 250WG 到 400W 的产 品 FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于 250WG 到 400W 的产 品 FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于 400W 的产品 FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于 400W 的产品 FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于 400W 的产品 FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于 560W 的产品 IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220 IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220 IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220 IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W FQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220F FQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220F FQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220 FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F FCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220 RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252 RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220 RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220 单 2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252 HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263 ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252 ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263 ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262 FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220
第一篇:场效应管的作用场效应管的分类和作用分别是什么?
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有 3 个极性，栅极，漏极，源极，它的 特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 概念场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参 与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点具有输入电阻高（108～109Ω ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有 二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容 可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作 阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极， 源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集 电极。将万用表置于 R×1k 档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两 个管脚间的正、 反向电阻相等， 均为数 KΩ 时， 则这两个管脚为漏极 D 和源极 S （可互换） ， 余下的一个管脚即为栅极 G。对于有 4 个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用 中接地）。2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出 的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于 N 沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的 正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅 源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容 易将管子损坏。3、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到 R×100 档，红表笔接源极 S，黑
表笔接漏极 D，相当于给场效应管加上 1.5V 的电源电压。这时表针指示出的是 D-S 极间 电阻值。然后用手指捏栅极 G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放 大作用，UDS 和 ID 都将发生变化，也相当于 D-S 极间电阻发生变化，可观察到表针有较 大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说 明管子已经损坏。由于人体感应的 50Hz 交流电压较高， 而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点 可能不同， 因此用手捏栅极时表针可能向右摆动， 也可能向左摆动。少数的管子 RDS 减小， 使表针向右摆动，多数管子的 RDS 增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要 能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测 MOS 管。为了保护 MOS 场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加 到栅极上，将管子损坏。MOS 管每次测量完毕，G-S 结电容上会充有少量电荷，建立起电压 UGS，再接着 测时表针可能不动，此时将 G-S 极间短路一下即可。2.场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型 的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管,而 MOS 场效应晶体管又 分为 N 沟耗尽型和增强型;P 沟耗尽型和增强型四大类. 3.场效应管的主要参数 :
Idss ― 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压 UGS=0 时的 漏源电流. Up ― 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电 压. Ut ― 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM ― 跨导.是表示栅源电压 UGS ― 对漏极电流 ID 的控制能力,即漏极电流 ID 变 化量与栅源电压 UGS 变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS ― 漏源击穿电压.是指栅源电压 UGS 一定时,场效应管正常工作所能承受的最 大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 BVDS. PDSM ― 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最 大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量. IDSM ― 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通 过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 IDSM 4.结型场效应管的管脚识别判定栅极 G:将万用表拨至 R×1k 档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去 接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外 两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为 N 沟道;若两次测得的 阻值都很小,则为 P 沟道. 判定源极 S、漏极 D在源-漏之间有一个 PN 结,因此根据 PN 结正、 反向电阻存在差异,可识别 S 极与 D 极. 用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻, 此时黑表笔的是 S 极,红表笔接 D 极. 5.常效应管与晶体三极管的比较 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的 情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶 体管.
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子, 也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把 很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用. 一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有 N 沟道和 P 沟道两种导电沟道。1、结型场效应管（JFET） （1） 结构原理 它的结构及符号见图 1。N 型硅棒两端引出漏极 D 和源极 S 两个电 在 极，又在硅棒的两侧各做一个 P 区，形成两个 PN 结。在 P 区引出电极并连接起来，称为 栅极 Go 这样就构成了 N 型沟道的场效应管 。由于 PN 结中的载流子已经耗尽，故 PN 基 本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压 ED 一定时，如果栅极电压越负，PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流 ID 就愈小； 反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID 变大，所以用栅极电压 EG 可以控制漏 极电流 ID 的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。2、绝缘栅场效应管 它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管， 简称 MOS 场效应管。（1）结构原理 它的结构、电极及符号见图 3 所示，以一块 P 型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个 高杂质的 N 型区，作为源极 S 和漏极 D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出 一个电极 G （栅极） 由于栅极与其它电极绝缘， 所以称为绝缘栅场面效应管。在制造管子时， 通过工艺使绝缘层中出现大量正离子， 故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷， 这些负 电荷把高渗杂质的 N 区接通， 形成了导电沟道， 即使在 VGS=0 时也有较大的漏极电流 ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极 电流 ID 随着栅极电压的变化而变化。场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为 零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性） 二、场效 应管的主要参数 1、夹断电压 VP 当 VDS 为某一固定数值， IDS 等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压 VGS 就是 使 夹断电压 VP。2、饱和漏电流 IDSS 在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于 VP 时的漏极电流称为 IDSS。3、击穿电压 BVDS 表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的 VDS。4、直流输入电阻 RGS 在一定的栅源电压下， 源之间的直流电阻， 栅、 这一特性有以流过栅极的电流来表示， 结型场效应管的 RGS 可达
欧而绝缘栅场效应管的 RGS 可超过 00 欧。5、低频跨导 gm 漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即 gm= △ID/△VGS 它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重 要参数， 此参灵敏常以栅源电压变化 1 伏时， 漏极相应变化多少微安 A/V） （μ 或毫安 （mA/V） 来表示 。
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量 较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变 换。3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管, 特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流 控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器 件所以噪声小,其结构简图如图 C-a. 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个 P-N 结,在 零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏 压)在反向电场作用下 P-N 变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图 C1-b),反向 偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道&夹断&,此时,场效应管进入截止状态如图 C-c,此时的反 向偏压我们称之为夹断电压,用 Vpo 表示,它与栅极电压 Vgs 和漏源电压 Vds 之间可近以表 示为 Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是 Vgs 的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料 加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增 加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应 管为绝缘栅型场效应管,又称 MOS 场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场 效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在 反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的 为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当 Vgs=0 时 Id(漏极电流)=0,只有当 Vgs 增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始 出现漏极电流时的栅源电压 Vgs 为开启电压.耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅 源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻). 结型栅场效应管 应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅 场效应管代
《》出自:链接地址：/content/1W2lb8N7wPslvRtl.html
《场效应管的作用》}