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关于硅和砷化镓太阳能电池组件在热性能方面的综述
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关于硅和砷化镓太阳能电池组件在热性能方面的综述
官方公共微信砷化镓太阳能光伏电池，以及涉足的主要上市公司
一、砷化镓电池基本介绍
　　近年来，太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有所下跌，但这种震荡的现状给光伏产业的健康发展带来困难。目前，技术上解决这一困难的途径有两条：一是采用薄膜太阳电池，二是采用聚光太阳电池，减小对原料在量上的依赖程度。常用薄膜电池转化率较低，因此新型的高倍聚光电池系统受到研究者的重视[1]。聚光太阳电池是用凸透镜或抛物面镜把太阳光聚焦到几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后投射到太阳电池上。这时太阳电池可能产生出相应倍数的电功率。它们具有转化率高，电池占地面积小和耗材少的优点。高倍聚光电池具有代表性的是砷化镓（GaAs）太阳电池。
　　GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高。与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有较好的性能[2]。
二、砷化镓电池与硅光电池的比较[3]
　　1、光电转化率：
　　砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。目前，硅电池的理论效率大概为23％，而单结的砷化镓电池理论效率达到27％，而多结的砷化镓电池理论效率更超过50％。
　　2、耐性
　　常规上，砷化镓电池的耐性要好于硅光电池，有实验数据表明，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。
　　3、机械强度和比重
　　砷化镓较硅质在物理性质上要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，目前常把其制成薄膜，并使用衬底（常为Ge[锗]），来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。
三、砷化镓电池的技术发展现状
　　1、历程
　　GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性，他们指出Eg在1.2～1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。（GaAs材料的Eg=1.43eV，在上述高效率范围内，理论上估算，GaAs单结太阳电池的效率可达27％）。20世纪60年代，Gobat等研制了第1个掺锌GaAs太阳电池，不过转化率不高，仅为9％～10％，远低于27％的理论值。20世纪70年代，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE（液相外延）技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16％。不久，美国的HRL（HughesResearchLab）及Spectrolab通过改进了LPE技术使得电池的平均效率达到18％，并实现了批量生产，开创了高效率砷化镓太阳电池的新时代[4]。
　　从上世纪80年代后，GaAs太阳电池技术经历了从LPE到MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50％（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30％以上。&
　　2、几项基本技术介绍
　　GaAs生产方式有别于传统的硅晶圆生产方式，GaAs生产需要采用磊晶技术，这种磊晶圆的直径通常为4―6英寸，比硅晶圆的12英寸要小得多，因此，制备其磊晶圆需要特殊的机台。目前，常用于GaAs制备的技术有几种，主要有LPE和MOVPE等。
　　2.1LPE技术介绍
　　液相外延技术（LiquidPhaseEpitaxy，简称LPE）1963年由Nelson等人提出的，在GaAs的生产中，其以低熔点的Ga）镓）为溶剂，以待生长材料Ga、As（砷）和掺杂剂Zn（锌）、Te（碲）、Sn（锡）等为溶质，使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态。通过降冷却使石墨舟中的溶质从溶剂中析出，在单晶衬底上定向生长一层晶体结构和晶格常数与单晶衬底（常为Ga）足够相似的GaAs晶体材料，使晶体结构得以延续，实现晶体的外延生长。
　　2.2MOVPE技术介绍
　　金属有机化学汽相淀积（MOCVD）是由美国洛克威尔公司的H.M.Manasevit等在1968年首先提出的一种制备化合物半导体薄层单晶膜的新型汽相外延生长技术。在GaAs晶片的制备中，它采用Ga元素的有机化合物和As的氢化物等作为晶体生长原料，以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延，生长GaAs化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。MOCVD是在常压或低压（≈10kPa）下于通H2的冷壁石英反应器中进行的，衬底度为600-800℃，过程中需用射频加热石墨支架，让H2气通过度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。目前MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受生长速率、生长度和As/Ga比、金属有机物和AsH3的纯度等诸多参数的影响[5]。
　　3、国内技术发展情况
　　在上世纪70年代中期至90年代中期，国内一般采用LPE技术研制GaAs电池，单结GaAs/GaAs电池效可达20％。1995年开始，国内开始采用MOCVD技术研制GaAs电池。“十五”初期，单结GaAs/Ge电池进入量产（用于航天），量产平均效率达到18.5％～19.0％（AM0）。我国首次GaAs电池试验是在1988年9月时进行的，当时发射的FY21A星上，在卫星的太阳方阵帆板上使用了20mm&20mm&0.3mm单结GaAs电池，取得较好的效果。2001年1月发射的“神舟3号”飞船和2002年5月发射的“海洋21”卫星上，也应用了单结GaAs/GaAs电池[6]。
四、砷化镓电池产业发展现状
　　就世界的角度来说，砷化镓电池主要还是应用在宇宙空间探测利用等方面，在地面使用较少。目前全世界专业制作砷化镓聚光电池的工厂有美国的Emcore，SpectroLab（波音的子公司）和德国的AzurSpace等，中国的产业化推广还未成形。
　　2007年8月开始，由于聚光技术的采用，砷化镓电池从卫星上的使用转变为聚光的太阳能发电站的规模应用。为此，Emcore公司花了1000万美元，将产能增加到目前的每年150兆瓦。
　　在2008年，全球的砷化镓电池的生产取得突破性的发展，4月，作为砷化镓生产的全球主要厂家之一SpectroLab，获得350兆瓦，9300万美元（1000倍聚光）的电站订单。
　　在东亚地区，也有初步的生产推广，2008年5月，韩国电站就接到70兆瓦，2800万美元（500倍聚光）的订单。
　　随着全球光伏产业的大发展，光伏电池的生产在逐步推开。
五、砷化镓电池产业发展遇到的问题
　　砷化镓光伏电池有着较优的转化效率，有明显的发展优势，应该成为一种有效的光伏发电途径，但是，目前在中国产业化方面并不理想，出现了一些问题和阻碍。主要有以下几个方面，一是制备费用高居不下，据文献报道，砷化镓晶片的制备费用约为10000$/m2，比常规的硅晶电池相比高出不少，当然，这是几方面的因素造成的，
一方面，由于镓元素在全球的储量不多，大概在两百万吨左右[7]（中国约占一半），而且开采难度大（一般为铝土矿的伴生矿），在当今号召降低高耗能投资的要求下（电解铝项目得到严格控制），短期内要扩大粗镓的生产比较难。另一方面，由于半导体材料对纯度的要求很高，对半导体用镓的要求达到6&#，目前世界上掌握这样提纯技术的国家仅有美国、德国和日本少数几个，由于技术的垄断，对扩大再生产构成限制，总体上增加了制备费用。
二是砷化镓的另一个组分砷有毒，对于环境安全和生产工人自身身体安全都是一个不小的威胁，在没有得到有力技术保证的前提下，一般的企业也不愿往这方面投产。
&第三，目前的砷化镓电池由于自身物理因素的限制（脆性），一般制成带衬底的薄膜电池，需要构造隧道结和防止形成寄生的p/n结[8]，这增加了技术的难度。
&第四，由于砷化镓电池的高转化率，常把其制成高聚光电池，当然，这一方面可以缩小耗材，对于降低成本有利，但是也存在需要追日跟踪系统的问题，而且由于各地区的日照条件不一样据了解，目前对追日跟踪系统的要求也不一样，也增加系统的复杂度和实施的难度[9]。
第五，国内市场这几年的注意力都集中在多晶硅市场，而且是进行的是一种90％以上原料依赖进口，90％以上产品依赖出口的一种模式，没有把注意力集中到本土化光伏发电推广，长此以往，整个光伏产业会缺乏动力需求，这对砷化镓电池产业的发展来说也是不利的。
第六，对于产业化来说，民众认可是很重要的，这些年来，对于砷化镓光伏电池，民众认知度不够，媒介和研究机构的宣传推广工作有些不力。
第七是国家策，府策支持在光伏产业方面比较宏观，目前还没有做到对光伏电池行业进行分类别对待，支持产业发展，在成本竞争不具备优势的情况下，策支持的不力使砷化镓产业化推进缓慢。以上这些原因的综合出现，对砷化镓电池产业的发展造成了障碍。
　　针对目前出现的问题，笔者认为可以从以下几方面着手去努力解决。
首先，需要在原料镓上做好功夫，虽然镓储量全球不太多，但是中国相对来说是较丰富的，目前的问题就是提纯技术不过关的问题，这就需要我们广大的相关科研机构合作攻关，做好镓的高纯提取。
　　第二是要做好安全保障措施，提高工厂生产的智能化、自动化，减少生产直接接触人员，保障安全化生产和人身安全，减小环境阻力。
第三是加大技术攻关，简化制备工艺，减小电池系统复杂度，降低电池制备耗费。
第四，新闻媒介和相关学术机构做好宣传推荐工作，提高民众认知度。
第五是国家策支持明细化，比如对光伏发电电池产业来说，对晶硅电池、薄膜电池、砷化镓电池、碲化铬电池等的产业化生产做好分类对待，培植一些有竞争力的砷化镓电池生产企业，同时鼓励各地新建光伏电站采用砷化镓光伏电池。
　　目前由于资金、技术和会认知等方面的不足，砷化镓电池在中国并没有走进大众生活，实现产业化生产。但是由于砷化镓电池具有很高的能量转化效率，个人认为，是一种比较有前途的光伏发电装置，对促进未来人类新能源利用，创造洁净生存环境是一个好的备选项，相信通过业界的共同努力，府策上的得力支持，民众的开放性心里对待，砷化镓太阳能光伏电池产业化会逐步发展，稳步推进，在明天的广泛运用不是梦！
A股主要上市公司
目前全球的CPV装机不到200MW，预计今后几年内，随着技术优势和成本优势的体现，市场规模将有爆发式的增长，未来10年年均增速预计在40%以上。我国目前仅有少量示范电站，未来随着光伏装机容量的提升，CPV的市场也将逐渐打开。在目前，国内尚无成熟的CPV设备制造商，产品进口依赖度较高。在A股上市公司中未来有望从CPV市场的高速扩张中获益的主要上市公司有：
1、乾照光电(300102)：
公司是目前国内四元系红、黄光LED芯片产销量最大的企业，国内最大的能够批量生产三结砷化镓太阳能电池外延片的企业。公司专注于高亮度四元系红、黄光LED外延片、芯片及三结砷化镓太阳电池外延片的研发生产，掌握了四元系红、黄光LED外延片、芯片生产的核心技术。产品不仅有高品质的超高亮度红、橙、黄LED外延片、芯片，同时还着力研发生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池，填补了该领域的国内空白，是国内仅有的几家初步具备LED外延片和芯片工业化生产能力的企业。在三结砷化镓太阳能电池外延片的领域，公司也拥有完全自主研发的MOCVD技术。
2、向日葵(300111)：
公司是一家专注于光伏能源产品研发制造的国家级高新技术企业，主要致力于研发、生产、销售大规格高效晶体硅太阳能电池。公司熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术，研发能力较强。公司的成长性明显，2008年公司获得了“绍兴市成长型工业企业20强”等荣誉。根据中国可再生能源学会光电专业委员会排名，2008年公司晶体硅电池产量已进入国内前10名，是国内光伏行业中成长性最明显的企业之一。
公司2005年3月成立以来始终专注于高效晶体硅太阳能电池及组件的研发和生产，近年来产销量和营业收入规模均呈现较高速增长，2009年电池及组件产量达到106MW，位居国内企业第九。随着全球光伏市场的快速增长，公司产能增长较快，已分别于2006年5月、2008年5月、2009年6月建成投产25MW生产线、50MW生产线、100MW生产线。公司已建成年产175MW的光伏电池生产线。
3、东方日升(300118)：
公司是主要从事太阳能电池片、太阳能电池组件以及太阳能灯具等太阳能光伏产品的研发、生产和销售的高新技术企业，是我国重要的太阳能光伏应用产品专业供应商。发公司是国内较早从事太阳能应用产品开发的生产企业之一。
募集资金拟投向年产75MW晶体硅光伏产品项目和光伏工程技术研发中心项目。东方日升的主营业务是从事太阳能电池片、太阳能电池组件以及太阳能灯具等太阳能光伏产品的研发生产和销售，主要产品为太阳能电池片、太阳能电池组件和太阳能灯具。
4、万家乐(000533)：
作为国内著名的家电企业，公司十分看好太阳能产业的发展，重拳打造太阳热水器产业。相比传统的热水器，太阳能热水器完全采用太阳的光热来烧水。其中，万家乐目前持股25%的新曜光电是母公司下属专营HCPV太阳能发电模组和发电系统的开发、设计和产业化为主的高科技公司。未来有望整体注入上市公司，实现万家乐从传统家电和电气设备生产到新能源和环保设备的转型。
5、三安光电(600703)：
是国内规模最大的全色系超高亮度LED芯片生产企业，产品正向需求旺盛的电视背光、路灯照明，汽车产品领域渗透。三安光电主营LED芯片生产，与CPV聚光太阳能技术方面相通，具有业务拓展的优势。其CPV聚光太阳能系统采用双轴跟踪、500倍聚光方式，模块系统转换效率约25%～26%，今年第一季度可完成青海省格尔木市3MW示范电站项目，今年业绩目标为20MW～50MW。
6、光电股份(600184)：
公司还将收购西光集团、红塔创投等持有的天达光伏股权。天达光伏目前拥有60MW的光伏产能，未来天达光伏将在秀洲工业园区建设太阳能电池生产及研发基地，还参与装机规模为100MWp的昆明石林并网光伏实验示范电站项目。新华光是全球重要的光学玻璃生产制造中心，具有年产6800吨光学玻璃产品的生产能力。该公司产品国内市场占有率约为30%，稳居国内同行业第二位，未来来有望从CPV市场规模的扩张中受益。
7、水晶光电(002273)：
公司的传统产品为光学低通滤波器(OLPF)和红外截止滤光片(IRCF)，分别为高端和低端光学模组配套，下游主要为数码相机、拍照手机等消费电子产品。晶圆级镜头模组生产工艺的唯一配套商。公司通过配套手机镜头模组厂商的晶圆级加工技术，使模组厂商的成本降低了近，因而在3G手机的前置摄像头(Sub
Camera)市场中占据了绝对的优势。公司具备三代聚光太阳能CPV相关设备制造能力。
8、利达光电(002189)：
公司的主营业务是透镜、棱镜等光学元件。第三代CPV发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率等优点；而且所需的电池面积不大，以相对廉价的聚光器件替代昂贵的半导体材料，在大规模应用于发电时可有效降低成本、降低生产能耗。而利达光电恰具有此类概念。公司具有光学聚光器的生产能力，未来有望从CPV和CSP市场的高速扩张中获益。
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2014年砷化镓太阳能电池行业分析报告
2014年3月目 录
一、太阳能电池行业的基本情况与发展趋势 4
1、太阳能电池简介 4
2、太阳能电池产业链 5
3、不同材料太阳能电池适用性的比较 5
4、太阳能电池市场规模与发展趋势 6
（1）全球太阳能电池市场容量 6
（2）国内太阳能电池行业发展现状 7
（3）太阳能电池行业发展趋势 8
①产品结构趋向多元化 8
②技术创新成为未来竞争的核心 8
二、砷化镓太阳能电池市场分析与发展趋势 9
（1）空间用砷化镓太阳能电池 10
（2）地面聚光砷化镓太阳能电池 11
（3）国际砷化镓太阳能电池的市场状况 13
（4）国内砷化镓太阳能电池的市场状况 13
2、国内砷化镓太阳能电池市场的发展趋势 14
（1）空间用砷化镓太阳能电池市场稳定且潜力巨大 14
（2）地面聚光砷化镓太阳能电池目前处于市场导入期，未来可能快速增长 15
三、进入砷化镓太阳能电池领域的主要壁垒 15
1、技术壁垒 15
2、资本壁垒 16
3、客户资源壁垒 16
四、砷化镓太阳能电池利润水平的影响因素与变化趋势 17
五、砷化镓太阳能电池技术发展趋势 17
1、空间用砷化镓太阳能电池技术发展趋势 17
2、地面聚光砷化镓太阳能电池技术发展趋势 18
六、行业的季节性与周期性 19
一、太阳能电池行业的基本情况与发展趋势
1、太阳能电池简介
太阳能电池是利用光伏效应将太阳能通过半导体物质转变为直流电能的一种器件。目前，已商业化的太阳能电池主要有晶体硅太阳能电池（单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池）、薄膜太阳能电池和半导体化合物太阳能电池（以砷化镓太阳能电池为主）三大类。
晶体硅太阳能电池目前占据绝大部分太阳能电池市场份额，广泛应用于发电；薄膜太阳能电池
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官方公共微信非晶硅与单晶硅和多晶硅的太阳能电池板区别？各自的优越性等_百度知道
非晶硅与单晶硅和多晶硅的太阳能电池板区别？各自的优越性等
　　单晶硅太阳电池　　单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求99.9999％。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片，一般片厚约0.3毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。　　加工太阳电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成P/N结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，单晶硅太阳电池的单体片就制成了。　　单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，最后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵，亦称太阳电池阵列。目前市场上的单晶硅太阳电池的光电转换平均效率为19％左右，个别公司最近推出的新产品普遍都超出这个值。实验室成果普遍在20％以上。用于宇宙空间站的还有高达50%以上的太阳能电池板。　　多晶硅太阳电池　　单晶硅太阳电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳电池生产总成本中己超二分之一，加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶硅太阳电池的研制。　目前太阳电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，加人适量硼硅，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材质利用率和方便组装。　　多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其光电转换效率约12％左右，稍低于单晶硅太阳电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。随着技术得提高，目前多晶硅的转换效率也可以达到18%左右。　　非晶硅太阳电池　　非晶硅太阳电池是1976年有出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，电耗更低，非常吸引人。制造非晶硅太阳电池的方法有多种，最常见的是辉光放电法，还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。辉光放电法是将一石英容器抽成真空，充入氢气或氩气稀释的硅烷，用射频电源加热，使硅烷电离，形成等离子体。非晶硅膜就沉积在被加热的衬底上。若硅烷中掺人适量的氢化磷或氢化硼，即可得到N型或P型的非晶硅膜。衬底材料一般用玻璃或不锈钢板。这种制备非晶硅薄膜的工艺，主要取决于严格控制气压、流速和射频功率，对衬底的温度也很重要。　　非晶硅太阳电池的结构有各种不同，其中有一种较好的结构叫PiN电池，它是在衬底上先沉积一层掺磷的N型非晶硅，再沉积一层未掺杂的i层，然后再沉积一层掺硼的P型非晶硅，最后用电子束蒸发一层减反射膜，并蒸镀银电极。此种制作工艺，可以采用一连串沉积室，在生产中构成连续程序，以实现大批量生产。同时，非晶硅太阳电池很薄，可以制成叠层式，或采用集成电路的方法制造，在一个平面上，用适当的掩模工艺，一次制作多个串联电池，以获得较高的电压。因为普通晶体硅太阳电池单个只有0.5伏左右的电压，现在日本生产的非晶硅串联太阳电池可达2.4伏。
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由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,利用太阳能电池将太阳光能直接转化为电能。可以达到的光电转化率为18%，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同、安装维护简便，未发现有光辐射引致性能衰退效应（SWE）。 　　（4）多元化合物太阳电池 　　多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池，因此其坚固耐用，此类薄膜太阳能电池到目前为止，随着时间的延长、无噪声，最高的达到24%,小到玩具,光伏发电系统主要由太阳能电池板（组件）,上至航天器，最高可达25年，主要为广大无电地区居民生活生产提供电力，硅材料消耗很少，其光电转化效率比目前商用的薄膜太阳能电池板提高约50~75%、多晶硅。这种技术的关键元件是太阳能电池。 　　（2）多晶硅太阳能电池 　　多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，不过，单晶和多晶电池用量最大，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少。 　　光伏发电是根据光生伏特效应原理，其光电转换效率约12%左右 (日日本夏普上市效率为14，在薄膜太阳能电池中属于世界的最高水平的光电转化效率,光伏电源 无处不在；二是太阳能日用电子产品。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，光伏发电产品主要用于三大方面.8%的世界最高效率多晶硅太阳能电池);光伏系统还具有安全可靠。 从制作成本上来讲，非晶电池用于一些小系 统和计算器辅助电源等：一是为无电场合提供电源,下至家用电源，2008年北京奥运会部分用电将会由太阳能发电和风力发电提供，因为阳光普照大地。以它为基础可以设计出光电转换效率比硅薄膜太阳能电池明显提高的薄膜太阳能电池，材料制造简便，以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。现在各国研究的品种繁多，总的生产成本较低，但制作成本很大。 　　（3）非晶硅太阳能电池 　　非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，另外。此外，它的主要优点是在弱光条件也能发电，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短，进而提高光电转化效率，目前国际先进水平为10%左右、低污染，如各类太阳能充电器。从性能价格比来讲,可靠稳定寿命长，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，且不够稳定，工艺过程大大简化、控制器和逆变器三大部分组成。不论是独立使用还是并 网发电，电耗更低,光伏发电设备极为精 炼，其转换效率衰减、太阳能路灯和太阳能草坪灯等。目前：a) 硫化镉太阳能电池b) 砷化镓太阳能电池c) 铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In，大多数尚未工业化生产，主要有以下几种、非晶硅和薄膜电池等。我国并网发电还未起步，还包括一些移动电源和备用电源，因此得到大量发展, Ga)Se2是一种性能优良太阳光吸收材料。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围、无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电及建设同期短的优点。由一个或多个太阳能电池 片组成的太阳能电池板称为光伏组件，而且。光伏发电的优点是较少受地域限 制，这 在发达国家已经大面积推广实施。光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置，有单晶硅，它们主要由电子元器件构成,所以，还有微波中 继电源，不涉及机械部件。理论上讲。 　　国产晶体硅电池效率在10至13%左右,光伏发电技术可以用于任何需要电源的场合；三是并网发电,大到兆瓦级电站。太阳能光伏发电的最基本元件是太阳能电池（片）。目前，国外同类产品效率约18至23%、通讯电源等1）单晶硅太阳能电池 　　单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，单晶硅太阳能电池还略好，使用寿命一般可达15年，节约电耗, Ga)Se2薄膜太阳能电池) 　　Cu(In
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非晶硅缺陷最多，光生少子容易在晶界出被“干掉”：结构上.7电子伏特，从这点看；非晶硅最便宜，单晶硅最昂贵，光电转换效率最高，单晶硅缺陷少。成本上，也就是消失了，应该可以从上面得出了吧，单晶硅最完美；但是；多晶硅；非晶硅由于有很多摇摆键，所以光电转换效率次之，可见，好像非晶硅的前景不错，投产后又下马了.1电子伏特升至1，多晶硅次之，因为生产工序最复杂耗时，但是，据传说。各自的优越性，由于晶界的出现，其带隙可由1，经过钝化工艺（加氢饱和破键）处理，光生少子更容易消失；性能上；多晶硅次之，这个结论应该站不住脚，有利于光生少子收集先谈区别、破键，光电转换效率也可以接近10%，尚德非晶硅一条线不知何故，因此
半导体材料的结构不一样，效率排列是：单晶&多晶&非晶，单晶效率最高，但成本也最高，多晶居中，非晶最节约材料，弱光响应好，可做成柔性的，但转换效率最低，目前估计10%左右。
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