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【求助】求助PN结的问题
对PN结似懂非懂，最大的迷惑就是关于空间电荷区的内建电势问题。先谢谢各位高人的指点。
1. PN结的空间电荷区很薄，估计不到1um，为了平衡载流子的扩散，n型半导体一边电势更高，内建电场方向也是从n型指向p型。
但是p型和n型半导体并不局限于pn结很薄的空间电荷层。我的疑问是，在无光照条件下，整个p型区或者整个n型区是否具有统一的电势？
如果具有统一电势，那么整个n型区的电势都将高于p型区。如果这个结论成立，无需光照，pn结本身就是个电池。这个结论显然是错误的，无光照情况下，pn结两端用电压表测量应该电势为0，那么接着来的问题是，如果在空间电荷区p型半导体电势更低，那么，最终经过怎样的过渡，pn结在远离空间电荷区的地方电势又重新相等了？
2. 与上面相关的一个问题是光生电势差，教科书上的说法是，等效于加载了正向电压？那么对于pn结的伏安特性曲线中的电压是等效电压还是实测电压？我想是实测电压，那么实测电压只和光生电动势有关？还是跟空间电荷区原本的电势也有关？
1. 热平衡，无光照下净电流为0，但PN结空间电荷区内N区电势还是高于P区啊。
我想知道PN结中，空间电荷区以外，N型半导体电势是不是比P型半导体更高，为什么？
我确实相信光照前，热平衡下，短接PN结两端电势为0。但无法在逻辑上成立，因为PN结的空间电荷层确实是存在电势差的。
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