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&深圳市弘彩光电有限公司专业生产全系列发光二极管：白、红、橙、黄、绿、蓝、纯紫等全波段 LED 、有着各种正常、异形、交通灯、发射管、显示屏专用大视角、椭圆、七彩等型号的开发和生产能力的企业。（例如产品分类：1.普通发光二极管：红光、绿光、黄光、橙光、高红、超红等、2.高档发光二极管：特亮光、琥珀光、蓝光、白光、纯绿光、紫光、全彩(RGB)、闪烁灯LED、交通信号灯LED、显示屏用LED、照明灯饰用LED。 LED汽车灯泡，LED刹车灯，LED转弯灯，LED倒车灯，LED仪表灯，LED指示灯，LED双尖泡，T5Wedge灯，T8，T10，T11，T13，T15，T20Wedge灯，BA9S灯，，，，MR16灯，LED球泡，LED蜂窝灯以及螺丝牌照装饰灯和LED矿灯，家用LED装饰灯等。公司有丰富理论与实践经验的工程师、本着精益求精的信念、依靠多年积累的行业技术经验、和自身强大的创新研发能力、在LED领域里不断取得突破、相继研制、开发出多种类型产品、不断对产品的特性和结构进行优化、为客户设计和提供低功耗、高亮度、优良均匀性的发光二极管产品。&& 公司秉承“诚信服务、求实创新、用户至上、品质卓越”的理念、严格按照 ISO国际质量管理体系要求及ISO1国际环境管理体系要求、结合现代化的管理模式创造出了高质量、高信誉、高品位服务的企业品牌。在国内外众多客户中赢得了良好的信誉、得到广大客户的信赖。我们将以客户的满意为目标、与时俱进、开拓创新、提供更优良的产品及更一流的服务、将以更多更好的产品、来回报大家一直以来对我们的支持和厚爱。产品应用领域遍及：电脑周边、家电产品、通讯器材、工业仪表、工艺礼品、灯饰产品、光源产品、玩具等。未来的目标：本地化经营、国际化发展。我们给客户的承诺就是永远给您做更好的产品和更完善的售后服务、与客户携手并进、共创未来！
深圳市弘彩光电有限公司专业生产全系列：白、红、橙、黄、绿、蓝、纯紫等全波段LED，销售美国CREE科锐XRE,XPE.XPG.XML.XTE,颜色红，黄，蓝，绿，白，暖白，橙光。我们有着各种正常、异形、交通灯、发射管、显示屏专用大视角、椭圆、七彩等型号的开发和生产能力的企业。（例如产品分类：1.普通发光二极管：红光、绿光、黄光、橙光、高红、超红等、2.高档发光二极管：特亮光、琥珀光、蓝光、白光、纯绿光、紫光、全彩(RGB)、闪烁灯LED、交通信号灯LED、显示屏用LED、照明灯饰用LED。
验的工程师、本着精益求精的信念、依靠多年积累的行业技术经验、和自身强大的创新研发能力、在LED领域里不断取得突破、相继研制、开发出多种类型产品、不断对产品的特性和结构进行优化、为客户设计和提供低功耗、高亮度、优良均匀性的发光二极管产品。
公司引进先进的自动化生产线和生产技术及无尘防静电车间、配套性能优越的检测设备、同時公司有着一批高标准的技术人员、管理人员、生产与销售人员相辅相承、紧密配合。
公司秉承“诚信服务、求实创新、用户至上、品质卓越”的理念、严格按照ISO国际质量管理体系要求及ISO1国际环境管理体系要求、结合现代化的管理模式创造出了高质量、高信誉、高品位服务的企业品牌。在国内外众多客户中赢得了良好的信誉、得到广大客户的信赖。我们将以客户的满意为目标、与时俱进、开拓创新、提供更优良的产品及更一流的服务、将以更多更好的产品、来回报大家一直以来对我们的支持和厚爱。
产品应用领域遍及：电脑周边、家电产品、通讯器材、工业仪表、工艺礼品、灯饰产品、光源产品、玩具等。
未来的目标：本地化经营、国际化发展。我们给客户的承诺就是永远给您做更好的产品和更完善的售后服务、与客户携手并进、共创未来！
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深圳市弘彩光电有限公司
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技术支持：& AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制
AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制
来源：中国半导体照明网　　时间： [编辑：0]　　【字体：
一、引言&&
　　目前，AlGaInP四元系一般使用GaAs衬底，由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸光，通常在衬底与有源层之间加入一层分布布拉格反射层（DBR），以反射射向衬底的光，减少GaAs的吸收。由于DBR反射层只对法线方向较小角度内（通常qDBR＜20°）的光线能有效反射，其它远离法向入射的光线绝大部分都被GaAs衬底吸收，因而提升光效的效果有限。&&
　　为了提高发光效率，人们开始进行其它衬底代替GaAs吸收衬底的研究。其中一种方法就是用对可见光透明的GaP衬底取代GaAs衬底（TS），即用键合技术将长有厚GaP窗口层的外延层结构粘接在GaP衬底上，并腐蚀掉GaAs衬底，其发光效率可提高一倍以上，同时GaP的透明特性使得发光面积大增。然而，该工艺存在合格率低、使用设备复杂、制造成本高的缺点。近年来，台湾开始进行了倒装衬底AlGaInP红光芯片的制作研究，由于工艺适于批量化生产，且制造成本低，引起人们的广泛兴趣。
　　二、垂直芯片结构及工艺&&
　　本文介绍了我公司进行的AlGaInP红光垂直结构超芯片制作方法。首先进行MOCVD外延，再以高热导率Si、SiC、金属等材料作为衬底，将外延层粘接在其上并制成芯片。其结构为：&&
　　工艺制作先在高热导率材料表面上蒸镀Au层作为反射镜面和粘接层，并通过加热加压将LED外延层与高热导率衬底材料粘在一起，再用选择腐蚀的方法将原GaAs衬底腐蚀剥离掉，再经蒸镀、刻蚀、表面粗化等工艺制成以高热导率材料为衬底的。由于Au薄膜对红光、对黄光有非常高的反射率，并且可反射所有入射角度的光（q&?90°），因而可使出光效率提高接近3倍。&
图2&&&DBR及金属反射层的反射率计算和测试结果&(a)DBR结构计算的法向反射谱&（q=0°）(b)金属反射层反射谱（q=0°~90°）
　　三、LED&性能测试结果
表1：相同有源区结构不同衬底12mil红光LED芯片参数比较（I＝20mA条件下测量）
　　表1为12mil尺寸管芯，不同衬底红光LED芯片的光电性能测试结果。从表中可以看到20mA测试电流下，虽然镜面衬底LED芯片电压略有所提升，从1.9V升至1.92V（如图3），但是其亮度提高了3倍，其主要原因是镜面衬底自身高的反射率且可反射各个角度入射的光，另外表面粗化有效的减弱光在材料内部的多次反射，折射及吸收，给光子提供了更多的出射机会；而镜面衬底LED电压的提高主要是由于粗化后芯片表面粗糙度增大，影响电流的传输，同时粘接层也使电压有所上升。
图3&不同衬底红光LED伏安特性曲线
　　20mA下测试12mil不同衬底LED芯片的晶圆图如图4所示，镜面衬底红光LED亮度、波长分布非常均匀。如图5所示，20mA电流下，中心波长为623nm的12mil镜面衬底红光LED光效可达50lm/W，光效约是普通衬底LED的2.5倍以上。
图4&&不同衬底LED亮度、波长晶圆图（a）普通衬底LED亮度晶圆图（b）普通衬底LED波长晶圆图（c）镜面衬底LED亮度晶圆图(d)&镜面衬底LED波长晶圆图
图5&&12mil不同衬底红光LED光效曲线
　　四、结论：
　　本项目研发的金属反射垂直结构超高亮度AlGaInP红光LED芯片大大提高了LED芯片的发光亮度，而且由于高热导率衬底材料机械强度高，热导率高，可大幅度改善产品的高温特性，提高产品可靠性，在大功率应用方面存在着其它类型LED无法比拟的优势。另外，由于镜面结构不需要较厚的GaP窗口层和DBR层，可大幅度降低外延材料消耗，外延成本比普通GaAs衬底降低。高热导率镜面衬底高亮度LED的研制成功和规模化生产，是一条获得低成本、高稳定性，可在大功率应用中发挥重要作用的有效途径。
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