什么是核磁共振？
时间： 08:25:41
健康咨询描述：
岁主要症状:抽搐发病时间:日一次到日化验检查结果:弊症曾经
曾经的治疗情况和效果：
输几天液体就好了.
感谢医生为我——该
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您好核磁共振M又叫核磁共振成像技术.是继后医学影像学的又一重大进步.自80年代应用以来,它以极快的速度得到发展.其基本原理：是将人体置于特殊的磁场中,用无线电射频脉冲激发人体内氢原子核,引起氢原子核共振,并吸收能量.在停止射频脉冲后,氢原子核按特定频率发出射电信号,并将吸收的能量释放出来,被体外的接受器收录,经电子计算机处理获得图像,这就叫做核磁共振成像. 磁矩是由许多原子核所具有的内部角动量或自旋引起的,自1940年以来研究磁矩的技术已得到了发展.物理学家正在从事的核理论的基础研究为这一工作奠定了基础.1933年,斯特恩（）和艾斯特曼（）对核粒子的磁矩进行了第一次粗略测定.美国哥伦比亚的拉比（生于1898年）的实验室在这个领域的研究中获得了进展.这些研究对核理论的发展起了很大的作用. 当受到强磁场加速的原子束加以一个已知频率的弱振荡磁场时原子核就要吸收某些频率的能量,同时跃迁到较高的磁场亚层中.通过测定原子束在频率逐渐变化的磁场中的强度,就可测定原子核吸收频率的大小.这种技术起初被用于气体物质,后来通过斯坦福的布络赫（生于1905年）和哈佛大学的珀塞尔（生于1912年）的工作扩大应用到液体和固体.布络赫小组第一次测定了水中质子的共振吸收,而珀塞尔小组第一次测定了固态链烷烃中质子的共振吸收.自从1946年进行这些研究以来,这个领域已经迅速得到了发展.物理学家利用这门技术研究原子核的性质,同时化学家利用它进行化学反应过程中的鉴定和分析工作,以及研究络合物,受阻转动和固体缺陷等方面.1949年,奈特证实,在外加磁场中某个原子核的共振频率有时由该原子的化学形式决定.比如,可看到乙醇中的质子显示三个独立的峰,分别对应于,和键中的几个质子.这种所谓化学位移是与价电子对外加磁场所起的屏蔽效应有关.
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你好,核磁共振是一种比较先进的检查方法,对于颅内疾病的诊断意义是比较大的,小孩出现反复的抽搐的情况是有必要作进一步检查的.
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你好,简单的说,核磁共振也是一种影像学检查手段,是通过将人体置于一个外加的强磁场环境内,通过磁共振的物理现象,将不同频率和强度的电脉冲信号通过计算机转换成图像进行疾病的诊断的一种方法.与CT相似,核磁共振（MRI）也以层面成像为基础,但具有多平面,多参数,任意角度成像,无需造影剂进行血管成像和尿路成像等优势,无电离辐射（对人体安全无害）,组织的分辨率高.对神经系统,骨关节系统的检查更具优势.抽搐（癫痫）是一组临床综合症,其特征为反复发作的大脑神经无异常放电,导致暂时性大脑功能失调,发病的原因有可能有原发性（至今还查不出明确的脑部结构变化或代谢异常,与遗传有着密切关系）,继发性（如脑发育不良,颅内感染,肿瘤性等疾病或外伤,中毒等引起的,核磁共振的检查应该是目前最好的影像学检查方法了,但如果是原发性的,表现为阴性.继发性的可有各种表现.
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磁共振成像(MRI)是根据在强磁场中放射波和氢核的相互作用而获得的.磁共振一问世,很快就成为在对许多疾病诊断方面有用的成像工具,包括骨骼肌肉系统.肌肉骨骼系统最适于做磁共振成像,因为它的组织密度对比范围大.在骨,关节与软组织病变的诊断方面,磁共振成像由于具有多于CT数倍的成像参数和高度的软组织分辨率,使其对软组织的对比度明显高于CT.磁共振成像通过它多向平面成像的功能,应用高分辨的毒面线圈可明显提高各关节部位的成像质量,使神经,肌腱,韧带,血管,软骨等其他影像检查所不能分辨的细微结果得以显示.磁共振成像在骨关节系统的不足之处是,对于骨与软组织病变定性诊断无特异性,成像速度慢,在检查过程中.病人自主或不自主的活动可引起运动伪影,影响诊断
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核磁共振(MRI)又叫核磁共振成像技术.是继CT后医学影像学的又一重大进步.自80年代应用以来,它以极快的速度得到发展.其基本原理：是将人体置于特殊的磁场中,用无线电射频脉冲激发人体内氢原子核,引起氢原子核共振,并吸收能量.在停止射频脉冲后,氢原子核按特定频率发出射电信号,并将吸收的能量释放出来,被体外的接受器收录,经电子计算机处理获得图像,这就叫做核磁共振成像.适应症：　　神经系统的病变包括肿瘤,梗塞,出血,变性,先天畸形,感染等几乎成为确诊的手段.特别是脊髓脊椎的病变如脊椎的肿瘤,萎缩,变性,外伤椎间盘病变,成为首选的检查方法. 　　心脏大血管的病变；肺内纵膈的病变. 　　腹部盆腔脏器的检查；胆道系统,泌尿系统等明显优于CT. 　　对关节软组织病变；对骨髓,骨的无菌性坏死十分敏感,病变的发现早于X线和CT.
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核磁共振(MRI)又叫核磁共振成像技术.是继CT后医学影像学的又一重大进步.自80年代应用以来,它以极快的速度得到发展.其基本原理：是将人体置于特殊的磁场中,用无线电射频脉冲激发人体内氢原子核,引起氢原子核共振,并吸收能量.在停止射频脉冲后,氢原子核按特定频率发出射电信号,并将吸收的能量释放出来,被体外的接受器收录,经电子计算机处理获得图像,这就叫做核磁共振成像. 核磁共振是一种物理现象,作为一种分析手段广泛应用于物理,化学生物等领域,到1973年才将它用于医学临床检测.为了避免与核医学中放射成像混淆,把它称为核磁共振成像术(MR). MR是一种生物磁自旋成像技术,它是利用原子核自旋运动的特点,在外加磁场内,经射频脉冲激后产生信号,用探测器检测并输入计算机,经过处理转换在屏幕上显示图像. MR提供的信息量不但大于医学影像学中的其他许多成像术,而且不同于已有的成像术,因此,它对疾病的诊断具有很大的潜在优越性.它可以直接作出横断面,矢状面,冠状面和各种斜面的体层图像,不会产生CT检测中的伪影；不需注射造影剂；无电离辐射,对机体没有不良影响.MR对检测脑内血肿,脑外血肿,脑肿瘤,颅内动脉瘤,动静脉血管畸形,脑缺血,椎管内肿瘤,脊髓空洞症和脊髓积水等颅脑常见疾病非常有效,同时对腰椎椎间盘后突,原发性肝癌等疾病的诊断也很有效. MR也存在不足之处.它的空间分辨率不及CT,带有心脏起搏器的患者或有某些金属异物的部位不能作MR的检查,另外价格比较昂贵. 核磁共振是磁矩不为零的原子核,在外磁场作用下自旋能级发生塞曼分裂,共振吸收某一定频率的射频辐射的物理过程.核磁共振波谱学是光谱学的一个分支,其共振频率在射频波段,相应的跃迁是核自旋在核塞曼能级上的跃迁. 核磁共振是处于静磁场中的原子核在另一交变磁场作用下发生的物理现象.通常人们所说的核磁共振指的是利用核磁共振现象获取分子结构,人体内部结构信息的技术. 并不是是所有原子核都能产生这种现象,原子核能产生核磁共振现象是因为具有核自旋.原子核自旋产生磁矩,当核磁矩处于静止外磁场中时产生进动核和能级分裂.在交变磁场作用下,自旋核会吸收特定频率的电磁波,从较低的能级跃迁到较高能级.这种过程就是核磁共振. 核磁共振(MRI)又叫核磁共振成像技术.是继CT后医学影像学的又一重大进步.自80年代应用以来,它以极快的速度得到发展.其基本原理：是将人体置于特殊的磁场中,用无线电射频脉冲激发人体内氢原子核,引起氢原子核共振,并吸收能量.在停止射频脉冲后,氢原子核按特定频率发出射电信号,并将吸收的能量释放出来,被体外的接受器收录,经电子计算机处理获得图像,这就叫做核磁共振成像. 核磁共振是一种物理现象,作为一种分析手段广泛应用于物理,化学生物等领域,到1973年才将它用于医学临床检测.为了避免与核医学中放射成像混淆,把它称为核磁共振成像术(MR). 磁共振自然界中的一种现象,即原子核可以吸收强磁场中存在的一定频率的电磁辐射.艾西德·艾萨克·瑞白 (Isidor Isaac Rabi),一位出生于澳大利亚的美国物理学家（1898 － 1988）,于 1938 年最先发现磁共振现象.从那时起,磁共振开始被用于轻原子的探测（例如碳氢化合物中的氢原子）,并成为一种研究人体的非破坏性方式. 同义字： NMR,核磁共振
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核磁共振（Nuclear Magnetic Resonance即NMR）核磁共振成像（Nuclear Magnetic Resonance Imaging,NMRI）,又称磁共振成像（Magnetic Resonance Imaging,MRI）,核磁共振全名是核磁共振成像（Nuclear Magnetic Resonance Imaging,简称NMRI）,又称自旋成像（spin imaging）,也称磁共振成像（Magnetic Resonance Imaging,简称MRI）,是磁矩不为零的原子核,在外磁场作用下自旋能级发生塞曼分裂,共振吸收某一定频率的射频辐射的物理过程.核磁共振波普学是光谱学的一个分支,其共振频率在射频波段,相应的跃迁是核自旋在核塞曼能级上的跃迁. 核磁共振是处于静磁场中的原子核在另一交变磁场作用下发生的物理现象.通常人们所说的核磁共振指的是利用核磁共振现象获取分子结构,人体内部结构信息的技术. 并不是是所有原子核都能产生这种现象,原子核能产生核磁共振现象是因为具有核自旋.原子核自旋产生磁矩,当核磁矩处于静止外磁场中时产生进动核和能级分裂.在交变磁场作用下,自旋核会吸收特定频率的电磁波,从较低的能级跃迁到较高能级.这种过程就是核磁共振. 核磁共振(MRI)又叫核磁共振成像技术.是继CT后医学影像学的又一重大进步.自80年代应用以来,它以极快的速度得到发展.其基本原理：是将人体置于特殊的磁场中,用无线电射频脉冲激发人体内氢原子核,引起氢原子核共振,并吸收能量.在停止射频脉冲后,氢原子核按特定频率发出射电信号,并将吸收的能量释放出来,被体外的接受器收录,经电子计算机处理获得图像,这就叫做核磁共振成像.核磁共振是一种物理现象,作为一种分析手段广泛应用于物理,化学生物等领域,到1973年才将它用于医学临床检测.为了避免与核医学中放射成像混淆,把它称为核磁共振成像术(MRI).MRI是一种生物磁自旋成像技术,它是利用原子核自旋运动的特点,在外加磁场内,经射频脉冲激后产生信号,用探测器检测并输入计算机,经过处理转换在屏幕上显示图像.MRI提供的信息量不但大于医学影像学中的其他许多成像术,而且不同于已有的成像术,因此,它对疾病的诊断具有很大优越性.它可以直接作出横断面,矢状面,冠状面和各种斜面的体层图像,不会产生CT检测中的伪影；不需注射造影剂；无电离辐射,对机体没有不良影响.MRI对检测脑内血肿,脑外血肿,脑肿瘤,颅内动脉瘤,动静脉血管畸形,脑缺血,椎管内肿瘤,脊髓空洞症和脊髓积水等颅脑常见疾病非常有效,同时对腰椎椎间盘后突,原发性肝癌等疾病的诊断也很有效.MRI也存在不足之处.它的空间分辨率不及CT,带有心脏起搏器的患者或有某些金属异物的部位不能作MRI的检查,另外价格
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您好!核磁共振(MRI)又叫核磁共振成像技术.是继CT后医学影像学的又一重大进步.是一种非介入探测技术,相对于X-射线透视技术和放射造影技术,MRI对人体没有游离辐射影响,相对于超声探测技术,核磁共振成像更加清晰,能够显示更多细节,此外相对于其他成像技术,核磁共振成像不仅仅能够显示有形的实体病变,而且还能够对脑,心,肝等功能性反应进行精确的判定.在帕金森氏症,阿尔茨海默氏症,癌症等疾病的诊断方面,MRI技术都发挥了非常重要的作用.神经系统的病变包括肿瘤,梗塞,出血,变性,先天畸形,感染等几乎成为确诊的手段.特别是脊髓脊椎的病变如脊椎的肿瘤,萎缩,变性,外伤椎间盘病变,成为首选的检查方法.
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振动片、振子、振荡器以及电子设备
来源：广搜网
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发布日期： 10:19:20
&&&&发明人：舟川刚夫 山崎隆（摘要：本发明提供振动片、振子、振荡器以及电子设备。课题在于抑制振动片的Q 值降低。作为解决手段，石英振动片(1) 的特征在于，具有：基部(10) ；振动臂(11a、11b、11c) ；以及设置在振动臂(11a、11b、11c) 上的激励电极(12a、12b、12c)，激励电极(12a、12b、12c) 具有：设置在振动臂(11a、11b、11c) 的主面(10a) 侧的第1 电极(12a1、12b1、12c1) ；与第1 电极(12a1、12b1、12c1) 相对设置的第2 电极(12a2、12b2、12c2) ；以及在第1 电极(12a1、12b1、12c1) 和第2 电极(12a2、12b2、12c2)之间延伸的压电体(13)，第1 电极(12a1、12b1、12c1) 和第2 电极(12a2、12b2、12c2) 的至少一方采用了ITO。(30)优先权数据）
基材，其具有基部、和从所述基部延伸的振动臂；第1 电极，其设置在所述振动臂上；第2 电极，其设置在所述第1 电极的上方；以及压电体，其配置在所述第1 电极和所述第2 电极之间，所述第1 电极和所述第2 电极中的至少一方的材料采用了ITO。2. 根据权利要求1 所述的振动片，其特征在于，在所述第1 电极和所述压电体之间具有绝缘体。3. 根据权利要求2 所述的振动片，其特征在于，所述绝缘体的材料采用了SiO2。4. 根据权利要求1 至3 中任意一项所述的振动片，其特征在于，所述压电体的材料采用了ZnO。5. 根据权利要求1 至3 中的任意一项所述的振动片，其特征在于，所述基材的材料采用了石英。6. 根据权利要求1 至3 中的任意一项所述的振动片，其特征在于，所述基材的材料采用了硅。7. 一种振子，其特征在于，该振子具有：权利要求1 至6 中任意一项所述的振动片；以及收纳所述振动片的封装。8. 一种振荡器，其特征在于，该振荡器具有：权利要求1 至6 中任意一项所述的振动片；以及使所述振动片振荡的振荡电路。9. 一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有权利要求1 至6 中任意一项所述的振动片。振动片、振子、振荡器以及电子设备技术领域[0001] 本发明涉及振动片、具有该振动片的振子、振荡器以及电子设备。背景技术[0002] 以往，作为振动片，公知有如下的压电振动片( 以下称作振动片)，该压电振动片包含基部和从基部延伸的臂部、以及被臂部的长度方向的第1 区间支承的激励部，激励部具有压电膜和夹着压电膜的一对电极膜( 例如，参照专利文献1)。[0003] 【专利文献1】日本特开 号公报[0004] 上述专利文献1 的振动片是如下结构：激励部( 以下称作激励电极) 的压电膜进行伸缩，由此使臂部( 以下称作振动臂) 在厚度方向上弯曲振动。[0005] 相比于振动臂单体的状态，上述那样的振动片的Q 值( 表现振动状态的无因次数，且该值越大，表示振动越稳定) 由于设置激励电极而降低。[0006] 在上述那样的振动片的激励电极中，作为夹着压电膜的一对电极膜，大多使用Ti( 钛)/Au( 金) 的膜( 在基底层中层叠有Ti、在上层中层叠有Au 的膜)。[0007] 但是，根据发明人的分析，在激励电极的一对电极膜使用Ti/Au 的结构中，存在Q值的下降程度较大的问题。发明内容[0008] 本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。[0009] [ 应用例1] 本应用例的振动片的特征在于，该振动片具有：基材，其具有基部、和从所述基部延伸的振动臂；第1 电极，其设置在所述振动臂上；第2 电极，其设置在所述第1电极的上方；以及压电体，其配置在所述第1 电极和所述第2 电极之间，所述第1 电极和所述第2 电极中的至少一方的材料采用了ITO。[0010] 由此，振动片在设置在振动臂上的第1 电极和第2 电极( 相当于一对电极膜) 的至少一方中采用了ITO(Indium Tin Oxide ：在氧化铟中添加百分之几的氧化锡后的化合物)，因此能够利用ITO 的特性来抑制Q 值的降低，相对于使用Ti/Au 的现有技术能够提高Q 值。[0011] 这依据发明人根据基于实验的分析结果等而得到的见解。[0012] [ 应用例2] 在上述应用例的振动片中，优选在所述第1 电极和所述压电体之间具有绝缘体。[0013] 由此，振动片在第1 电极和压电体( 相当于压电膜) 之间具有绝缘体，因此由于绝缘体，例如压电体的极化时的取向性得到了提高等，进一步抑制Q 值的降低，相对于使用Ti/Au 的现有技术能够使Q 值得到飞跃性提高。[0014] 另外，绝缘体优选为无定形( 非晶质) 状态。[0015] [ 应用例3] 在上述应用例2 的振动片中，优选所述绝缘体的材料采用SiO2。[0016] 由此，振动片在绝缘体中采用SiO2( 二氧化硅)，因此，利用SiO2，例如使压电体的极化时的取向性得到提高等，进一步抑制Q 值的降低，相对于使用Ti/Au 的现有技术能够使Q 值得到飞跃性提高。[0017] [ 应用例4] 在上述应用例的振动片中，优选所述压电体的材料采用ZnO。[0018] 由此，振动片在压电体中采用了ZnO( 氧化锌)，因此由于其取向性较高而使施加电场时的伸缩性优异，能够使基材高效地进行弯曲振动。[0019] [ 应用例5] 在上述应用例的振动片中，优选所述基材的材料采用石英。[0020] 由此，振动片在基材中采用了石英，因此，由于石英的特性而使加工性优异，并且能够与周围的温度变化无关地进行稳定的振动。[0021] [ 应用例6] 在上述应用例的振动片中，优选所述基材的材料采用硅。[0022] 由此，振动片在基材中采用了硅，因此由于其特性，能够使与Q 值相关的潜在性能( 例如，基材单体中的Q 值) 与石英相比得到进一步提高。[0023] [ 应用例7] 本应用例的振子的特征在于，该振子具有：上述任意一个应用例所述的振动片；以及收纳所述振动片的封装。[0024] 由此，振子具有上述任意一个应用例所述的振动片；以及收纳所述振动片的封装，因此能够提供起到上述任意一个应用例所述的效果的振子。[0025] [ 应用例8] 本应用例的振荡器的特征在于，该振荡器具有：上述任意一个应用例所述的振动片；以及使所述振动片振荡的振荡电路。[0026] 由此，振荡器具有上述任意一个应用例所述的振动片；以及使所述振动片振荡的振荡电路，因此能够提供起到上述任意一个应用例所述的效果的振荡器。[0027] [ 应用例9] 本应用例的电子设备的特征在于，该电子设备具有上述任意一个应用例所述的振动片。[0028] 由此，电子设备具有上述任意一个应用例所述的振动片，因此能够提供起到上述任意一个应用例所述的效果的电子设备。附图说明[0029] 图1 是示出第1 实施方式的石英振动片的概略结构的示意图，(a) 是平面图，(b)是(a) 的A-A 线处的剖视图。[0030] 图2 是图1(a) 的B-B 线处的剖视图以及各激励电极的布线图。[0031] 图3 是示出了石英振动片中的激励电极的各结构要素的材料与Q 值之间的关系的[0032] 图4 是示出第2 实施方式的石英振子的概略结构的示意图，(a) 是从盖( 盖体) 侧俯视到的平面图，(b) 是(a) 的C-C 线处的剖视图。[0033] 图5 是示出第3 实施方式的石英振荡器的概略结构的示意图，(a) 是从盖侧俯视到的平面图，(b) 是(a) 的C-C 线处的剖视图。[0034] 图6 是示出第4 实施方式的移动电话的示意立体图。[0035] 标号说明[0036] 1 ：作为振动片的石英振动片；5 ：作为振子的石英振子；6 ：作为振荡器的石英振荡器；10 ：基部；10a、10b ：主面；10c、10d ：固定部；11a、11b、11c ：振动臂；12a、12b、12c ：激励电极；12a1、12b1、12c1 ：第1 电极；12a2、12b2、12c2 ：第2 电极；13 ：压电体；14 ：绝缘体；18a、18b ：连接电极；20 ：封装；21 ：封装底座；22 ：盖；23 ：内底面；23a ：内部连接端子；24、25 ：内部端子；26 ：外底面；27、28 ：外部端子；29 ：接合部件；30 ：粘接剂；31 ：金属线；40 ：作为振荡电路的IC 芯片；41 ：金属线；700 ：作为电子设备的移动电话；701 ：液晶显示装置；702 ：操作按钮；703 ：受话器；704 ：送话器。具体实施方式[0037] 以下，参照附图来说明使本发明具体化的实施方式。[0038] ( 第1 实施方式)[0039] 此处，作为振动片的一例，对使用石英作为基材的石英振动片进行说明。[0040] 图1 是示出第1 实施方式的石英振动片的概略结构的示意图。图1(a) 是平面图，图1(b) 是图1(a) 的A-A 线处的剖视图。另外，省略各布线，各结构要素的尺寸比率与实际不同。[0041] 图2 是图1(a) 的B-B 线处的剖视图以及各激励电极的布线图。[0042] 如图1 所示，石英振动片1 作为基材具有基部10、和从基部10 起在石英晶轴的Y轴方向上延伸的3 个振动臂11a、11b、11c。在本实施方式中，在3 个振动臂11a、11b、11c 和基部10 中使用了Z 板的石英基板。[0043] 振动臂11a、11b、11c 形成为大致棱柱状，在平面视图中，排列在与Y 轴方向垂直的石英晶轴的X 轴方向上，并且在沿着由Y 轴方向和X 轴方向确定的平面(XY 平面) 的主面10a、10b 中的至少一方上( 此处是在主面10a 上)，设置有激励电极12a、12b、12c。[0044] 振动臂11a、11b、11c 通过激励电极12a、12b、12c，在与主面10a 垂直的石英晶轴的Z 轴方向( 图1(b) 的箭头方向) 上进行弯曲振动( 面外振动：在不沿着主面10a 的方向上的振动)。[0045] 激励电极12a、12b、12c 是具有以下部件的层叠结构：设置在主面10a 侧的第1 电极12a1、12b1、12c1 ；设置在第1 电极12a1、12b1、12c1 的上方的第2 电极12a2、12b2、12c2 ；配置在第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 之间的压电体13 ；以及配置在第1 电极12a1、12b1、12c1 和压电体13 之间的绝缘体14。[0046] 在激励电极12a、12b、12c 的第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2中，采用了包含ITO 的膜，在压电体13 中，采用了包含ZnO 的压电性较高( 取向性高) 的压电材料的膜。此外，在绝缘体14 中，采用了包含无定形(amorphous) 状态的SiO2 的膜。[0047] 另外，第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 也可以在任意一方中采用包含ITO 的膜，在另一方中采用包含其它材料( 例如Ti/Au、Cr( 铬)/Au 等) 的膜。[0048] 此外，也可以在压电体13 中，采用包含结晶构造与ZnO 相同的AlN( 氮化铝) 的压电材料。[0049] 另外，激励电极12a、12b、12c 优选从振动臂11a、11b、11c 的根部( 与基部10 的边界部分) 起向前端部延伸，并以振动臂11a、11b、11c 的整个长度( 从Y 轴方向的根部到前端的长度) 的一半左右的长度进行设置。[0050] 另外，如图1(b) 所示，基部10 的Z 轴方向的厚度形成得比振动臂11a、11b、11c 的Z 轴方向的厚度厚。[0051] 此外，在图1(a) 中，如双点划线所示，在基部10 的X 轴方向的两端部的主面10b侧，设置有固定部10c、10d，该固定部10c、10d 是用于固定于封装等外部部件上的固定区域。另外，优选的是，固定部10c、10d 在Y 轴方向上设置在基部10 的与振动臂11a、11b、11c侧相反一侧的端部上。[0052] 另外，石英振动片1 的各结构要素通过使用了光刻技术的蚀刻来形成。[0053] 此处，在激励电极12a、12b、12c 的第1 电极12a1、12b1、12c1 中，采用了包含ITO的膜( 以下称作ITO 膜：具有透光性)。因此，关于石英振动片1，用于对抗蚀剂进行构图的曝光时的从振动臂11a、11b、11c 的主面10a 侧照射的照射光透过在主面10a 侧通过溅射等形成的ITO 膜。[0054] 所透过的照射光在与ITO 膜同样具有透光性的振动臂11a、11b、11c 的主面10b 侧的未图示的倾斜面上进行反射，有可能从主面10b 侧照射到抗蚀剂的非曝光部分( 在形成第1 电极12a1、12b1、12c1 时不能被曝光的部分)。[0055] 针对该问题，石英振动片1 被设计成，在制造过程中通过在作为第1 电极12a1、12b1、12c1 的ITO 膜的设置有绝缘体14 的一侧，重叠形成Mo( 钼) 膜或Au 膜，由此截断照射光的透射，从而抗蚀剂被正常构图，第1 电极12a1、12b1、12c1 形成为预定形状。[0056] 另外，石英振动片1 通过使用Mo 膜或Au 膜作为截断照射光的透射的膜( 以下称作遮光膜)，由此在进行使用了碱性的显影液的显影时，避免了在使用Al( 铝) 膜作为遮光膜时显著产生的ITO 膜的电蚀。[0057] 此处，对石英振动片1 的动作进行说明。[0058] 如图2 所示，石英振动片1 的激励电极12a、12b、12c 的第1 电极12a1、12b1、12c1及第2 电极12a2、12b2、12c2 通过交叉布线与交流电源连接，被施加作为驱动电压的交变电压。[0059] 具体而言，振动臂11a 的第1 电极12a1、振动臂11b 的第2 电极12b2、振动臂11c的第1 电极12c1 被连接成相同电位，振动臂11a 的第2 电极12a2、振动臂11b 的第1 电极12b1、振动臂11c 的第2 电极12c2 被连接成相同电位。[0060] 在该状态下，对第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 之间施加交变电压时，在第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 之间产生电场，由于逆压电效应，在压电体13 中产生变形，压电体13 在Y 轴方向上伸缩。[0061] 石英振动片1 构成为，通过上述交叉布线将在激励电极12a、12c 中产生的电场的方向与在激励电极12b 中产生的电场的方向相互设为相反方向，在振动臂11a、11c 与振动臂11b 之间，压电体13 的伸缩是相反的。[0062] 具体而言，在振动臂11a、11c 的压电体13 拉伸时，振动臂11b 的压电体13 收缩，在振动臂11a、11c 的压电体13 收缩时，振动臂11b 的压电体13 拉伸。[0063] 通过压电体13 的这种伸缩，在石英振动片1 中，在交变电压为一个电位时振动臂11a、11b、11c 在实线箭头的方向上弯曲，在交变电压为另一个电位时振动臂11a、11b、11c在虚线箭头的方向上弯曲。[0064] 通过重复该过程，石英振动片1 的振动臂11a、11b、11c 在Z 轴方向上进行弯曲振动( 面外振动)。此时，相邻的振动臂( 此处为11a 和11b、11b 和11c) 相互在相反方向上( 以反相) 进行弯曲振动。[0065] 如上所述，本实施方式的石英振动片1 在设置在振动臂11a、11b、11c 上的激励电极12a、12b、12c 的第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 中采用了ITO，因此能够通过ITO 的特性来抑制Q 值的降低，相对于使用Ti/Au 的现有技术，能够提高Q 值。[0066] 这依据发明人根据实验的分析结果等而得到的见解( 具体将后述)。[0067] 此外，在石英振动片1 中，激励电极12a、12b、12c 在第1 电极12a1、12b1、12c1 和压电体13 之间具有绝缘体14，因此通过绝缘体14，例如压电体13 的极化时的取向性得到提高等，进一步抑制了Q 值的降低，相对于使用Ti/Au 的现有技术，能够使Q 值飞跃性地提高。[0068] 此外，石英振动片1 在绝缘体14 中采用了SiO2，通过SiO2 的特性，例如压电体13的极化时的取向性得到提高等，进一步抑制了Q 值的降低，相对于使用Ti/Au 的现有技术，能够使Q 值飞跃性地提高。[0069] 此外，石英振动片1 在绝缘体14 中采用了SiO2，例如SiO2 具有的温度特性、和采用了ITO 的第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 具有的温度特性相互抵消，由此能够抑制温度变化引起的频率的变动。[0070] 此外，石英振动片1 在压电体13 中采用了ZnO，因此，由于其取向性较高，所以施加电场时的伸缩性优异，能够使振动臂11a、11b、11c 高效地进行弯曲振动。[0071] 使用附图来说明上述情况。[0072] 图3 是示出石英振动片中的激励电极的各结构要素的材料与Q 值之间的关系的图。另外，图3 是对发明人基于采用了样品的实验的分析结果进行总结而得的图。[0073] 图3 的各样品是外形尺寸共同、仅激励电极的各结构要素的材料不同的结构。此外，所记载的Q 值例如使用了如下数据，该数据是根据激光多普勒振动计等频率测量器对各样品的频率测量值而导出的。[0074] 另外，在图3 中，为了方便起见，将绝缘体14 设为绝缘体A，将设置在压电体13 与第2 电极12a2、12b2、12c2 之间的绝缘体( 在本实施方式的样品中没有采用) 设为绝缘体B。[0075] 此外，在图3 中，用○ ( 良)、◎ ( 优良) 这两个等级表示各样品的相对于以往构造品(No.1) 的Q 值提高程度的比较判定结果。[0076] 如图3 所示，基于No.1 的现有技术的以往构造品的Q 值为2500。[0077] 另一方面，No.2 的本实施方式样品的Q 值为9000，因此可知相对于在第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 中采用了Ti/Au 的以往构造品，Q 值得到了飞跃性提高。[0078] 此外，No.3 的在本实施方式样品中增加绝缘体B 后的变形例1 的样品的Q 值为9000，因此可知即使在压电体13 与第2 电极12a2、12b2、12c2 之间增加绝缘体B，相对于本实施方式样品，也不能期待Q 值的进一步提高。[0079] 此外，No.4 的将本实施方式样品的第2 电极12a2、12b2、12c2 变为Cr/Au 膜( 在基底层中层叠有Cr、在上层中层叠有Au 的膜) 的变形例2 的样品的Q 值为9000，因此可知本实施方式样品的第2 电极12a2、12b2、12c2 也可以不是ITO 膜。[0080] 此外，No.5 的从本实施方式样品去除绝缘体14( 绝缘体A) 后的变形例3 的样品的Q 值为3500，因此可知虽然Q 值相对于以往构造品得到了提高，但是为了Q 值的进一步提高，不可缺少绝缘体14。[0081] 此外，No.6 的从本实施方式样品去除绝缘体14( 绝缘体A)、并增加绝缘体B 后的变形例4 的样品的Q 值为3500，因此可知虽然Q 值相对于以往构造品得到了提高，但是即使从本实施方式样品去除绝缘体14、并在压电体13 与第2 电极12a2、12b2、12c2 之间增加绝缘体B，也不能期待Q 值的进一步提高。[0082] 即，可以说重新证实了为了Q 值的进一步提高，在第1 电极12a1、12b1、12c1 与压电体13 之间不可缺少绝缘体14。[0083] 此外，No.7 的将本实施方式样品的第1 电极12a1、12b1、12c1 改变为现有技术的Ti/Au 膜、去除绝缘体14( 绝缘体A)、并增加绝缘体B 后的变形例5 的样品的Q 值为3500，因此可知通过仅将以往构造品的第2 电极12a2、12b2、12c2 变更为ITO 膜，Q 值相比于以往构造品得到了提高。[0084] 根据No.4、No.7 的结果，可以说证实了以下情况：石英振动片通过将第1 电极12a1、12b1、12c1 和第2 电极12a2、12b2、12c2 中的至少一方设为ITO 膜，Q 值相比于以往构造品得到了提高。[0085] 如上所述，根据发明人基于采用了样品的实验的分析结果，可以证实本实施方式的石英振动片1 和各变形例的石英振动片的Q 值相对于以往构造的石英振动片均实现了提高。[0086] 此外，石英振动片1 在基部10 的X 轴方向的两端部设置有固定部10c、10d，因此，与固定部10c、10d 设置在其它部分的情况相比，能够增长从振动臂11a、11b、11c 到基部10的固定部10c、10d 的路径。[0087] 其结果，与固定部10c、10d 设置在其它部分的情况( 例如固定部10c、10d 设置在振动臂11a、11b、11c 的附近的情况) 相比，石英振动片1 的将基部10 的固定部10c、10d 固定到外部部件时的经由固定部10c、10d 泄漏到外部部件的振动能量减少，因此能够抑制Q值的降低。[0088] 此外，石英振动片1 在基材中采用了石英，因此由于石英的特性而使加工性优异，并且能够与周围的温度变化无关地进行稳定的振动。[0089] ( 其它变形例)[0090] 此处，对第1 实施方式的其它变形例进行说明。[0091] 在第1 实施方式中，针对在基材中采用了石英的石英振动片进行了说明，但是振动片也可以是在基材中采用了硅的硅振动片。[0092] 硅振动片的结构与图1、图2 所示的石英振动片1 的结构基本相同，与石英振动片1 相比，基材的材质( 材料) 不同。[0093] 硅振动片与石英振动片1 同样，能够组合图3 所示的激励电极的各结构要素。[0094] 另外，优选的是，在硅是例如掺入了磷、硼等杂质的单晶硅、多晶硅等低阻抗硅的情况下，硅振动片在图1、图2 所示的振动臂11a、11b、11c 的主面10a、与第1 电极12a1、12b1、12c1 之间设置采用了SiO2 的绝缘膜( 绝缘体)。[0095] 由此，硅振动片能够可靠进行振动臂11a、11b、11c 与第1 电极12a1、12b1、12c1 之间的绝缘分离。[0096] 如上所述，硅振动片在基材中采用了硅，因此由于硅的特性，能够使与Q 值相关的潜在性能与石英振动片1 相比得到进一步提高( 例如，能够使基材单体中的Q 值成为石英的10 倍左右)。[0097] 并且，发明人确认到硅振动片中的Q 值劣化的抑制效果与石英振动片1 相同。[0098] 另外，硅振动片在基材中采用了硅( 非透光性材料)，因此不需要在石英振动片1中不可缺少的、用于避免在形成第1 电极12a1、12b1、12c1 时的不必要曝光的遮光膜。由此，与石英振动片1 相比，硅振动片能够提高制造时的生产性。[0099] 另外，在振动片的基材中，也可以使用这样的材料：该材料是石英、硅以外的材料，且Q 值与石英、硅为相同程度。[0100] ( 第2 实施方式)[0101] 接着，对作为具有在上述第1 实施方式中叙述的石英振动片的振子的石英振子进行说明。[0102] 图4 是示出第2 实施方式的石英振子的概略结构的示意图。图4(a) 是从盖( 盖体) 侧俯视到的平面图，图4(b) 是图4(a) 的C-C 线处的剖视图。另外，在平面图中省略了盖。此外，省略了各布线。[0103] 另外，对于与上述第1 实施方式相同的部分，标注相同标号并省略详细说明，以与上述第1 实施方式不同的部分为中心进行说明。[0104] 如图4 所示，石英振子5 具有在上述第1 实施方式中叙述的石英振动片1 或各变形例的石英振动片中的任意一个( 此处为石英振动片1)、和收纳石英振动片1 的封装20。[0105] 封装20 形成为大致长方体形状，并具有：封装底座21，其平面形状为大致矩形且具有凹部；以及平面形状为大致矩形且平板状的盖22，其覆盖封装底座21 的凹部。[0106] 在封装底座21 中，采用了对陶瓷生片进行成型、层叠并烧制成的氧化铝质烧结体、石英、玻璃、硅等。[0107] 在盖22 中，采用了与封装底座21 相同的材料，或者可伐合金(kovar)、42 合金(42alloy)、不锈钢等金属。[0108] 在封装底座21 中，在内底面( 凹部的内侧底面)23 上设置有内部端子24、25。[0109] 内部端子24、25 在设置于石英振动片1 的基部10 上的连接电极18a、18b 附近的位置处形成为大致矩形形状。连接电极18a、18b 通过未图示的布线，与石英振动片1 的各激励电极(12b 等) 的第1 电极(12b1 等) 以及第2 电极(12b2 等) 连接。[0110] 例如，在图2 的布线中，交流电源的一方侧的布线与连接电极18a 连接，另一方侧的布线与连接电极18b 连接。[0111] 在封装底座21 的外底面( 内底面23 的相反侧的面、外侧的底面)26 上形成有在安装到电子设备等的外部部件时使用的一对外部端子27、28。[0112] 外部端子27、28 通过未图示的内部布线与内部端子24、25 连接。例如，外部端子27 与内部端子24 连接，外部端子28 与内部端子25 连接。[0113] 内部端子24、25 和外部端子27、28 由金属膜构成，该金属膜是利用电镀等方法在W( 钨)、Mo 等的金属化的层上层叠了Ni( 镍)、Au 等的各覆膜而成的。[0114] 在石英振子5 中，石英振动片1 的基部10 的固定部10c、10d 经由环氧类( エポキシ)、硅酮类( シリコ一ン)、聚酰亚胺类( ポリイミド) 等的粘接剂30，被固定在封装底座21 的内底面23 上。[0115] 并且，在石英振子5 中，石英振动片1 的连接电极18a、18b 通过Au、Al 等的金属线31 与内部端子24、25 连接。[0116] 在石英振子5 中，在石英振动片1 与封装底座21 的内部端子24、25 连接的状态下，封装底座21 的凹部由盖22 覆盖，封装底座21 和盖22 用密封环、低熔点玻璃、粘接剂等接合部件29 接合，由此对封装20 的内部进行气密密封。[0117] 另外，封装20 的内部成为减压状态( 真空度高的状态)，或填充有氮、氦、氩等惰性气体的状态。[0118] 另外，封装也可以由平板状的封装底座和具有凹部的盖等构成。此外，封装也可以在封装底座和盖的两方中都具有凹部。[0119] 此外，也可以在固定部10c、10d 以外的部分，例如包含连接固定部10c 与固定部10d 的直线的中心的部分的1 个部位固定石英振动片1 的基部10，来替代固定部10c、10d。[0120] 由此，石英振动片1 在1 个部位进行固定，由此能够抑制由于在固定部上产生的热应力引起的基部10 的变形。[0121] 在石英振子5 中，石英振动片1 的各振动臂(11b 等) 利用经由外部端子27、28、内部端子24、25、金属线31、连接电极18a、18b 而施加给激励电极(12b 等) 的驱动信号( 交变电压)，以预定频率( 例如大约32KHz) 在厚度方向( 图4(b) 的箭头方向) 上振荡( 共振)。[0122] 如上所述，第2 实施方式的石英振子5 具有石英振动片1，因此能够提供起到上述第1 实施方式所记载的效果的振子( 例如能够抑制Q 值降低，相对于现有技术提高Q 值的振子)。[0123] 另外，石英振子5 在具有各变形例的石英振动片来替代石英振动片1 的情况下，也能够提供起到与上述同样的效果的振子。[0124] 此外，石英振子5 在具有其它变形例的硅振动片来替代石英振动片1 的情况( 此时，石英振子5 为硅振子) 下，也能够提供起到与上述同样的效果的振子。[0125] ( 第3 实施方式)[0126] 接着，对作为具有在上述第1 实施方式中叙述的石英振动片的振荡器的石英振荡器进行说明。[0127] 图5 是示出第3 实施方式的石英振荡器的概略结构的示意图。图5(a) 是从盖侧俯视到的平面图，图5(b) 是图5(a) 的C-C 线处的剖视图。另外，在平面图中省略了盖以及一部分结构要素。此外，省略了各布线。[0128] 另外，对于与上述第1 实施方式及第2 实施方式相同的部分，标注相同标号并省略详细说明，以与上述第1 实施方式及第2 实施方式不同的部分为中心进行说明。[0129] 如图5 所示，石英振荡器6 具有在上述第1 实施方式中叙述的石英振动片1 或各变形例的石英振动片中的任意一个( 此处为石英振动片1)、作为使石英振动片1 振荡的振荡电路的IC 芯片40、和收纳石英振动片1 及IC 芯片40 的封装20。[0130] 在封装底座21 的内底面23 上设置有内部连接端子23a。[0131] 内置振荡电路的IC 芯片40 使用未图示的粘接剂等固定在封装底座21 的内底面23 上。[0132] IC 芯片40 的未图示的连接焊盘通过Au、Al 等的金属线41 与内部连接端子23a 连接。[0133] 内部连接端子23a 由金属膜构成，该金属膜是利用电镀等在W、Mo 等的金属化的层上层叠了Ni、Au 等的各覆膜而成的，内部连接端子23a 经由未图示的内部布线，与封装20的外部端子27、28 及内部端子24、25 等连接。[0134] 另外，在IC 芯片40 的连接焊盘与内部连接端子23a 的连接中，除了基于使用了金属线41 的线接合(wire bonding) 的连接方法以外，也可以使用基于使IC 芯片40 反转的倒装安装的连接方法等。[0135] 在石英振荡器6 中，石英振动片1 的各振动臂(11b 等) 通过从IC 芯片40 经由内部连接端子23a、内部端子24、25、金属线31、连接电极18a、18b 施加到激励电极(12b 等)的驱动信号，以预定频率( 例如大约32KHz) 振荡( 共振)。[0136] 并且，石英振荡器6 经由IC 芯片40、内部连接端子23a、外部端子27、28 等将伴随该振荡而产生的振荡信号输出到外部。[0137] 如上所述，第3 实施方式的石英振荡器6 具有石英振动片1，因此能够提供起到上述第1 实施方式所记载的效果的振荡器( 例如能够抑制Q 值降低，相对于现有技术提高Q值的振荡器)。[0138] 另外，石英振荡器6 在具有各变形例的石英振动片来替代石英振动片1 的情况下，也能够提供起到与上述同样的效果的振荡器。[0139] 另外，石英振荡器6 在具有其它变形例的硅振动片来替代石英振动片1 的情况( 此时，石英振荡器6 为硅振荡器) 下，也能够提供起到与上述同样的效果的振荡器。[0140] 另外，石英振荡器6( 硅振荡器) 也可以设为不将IC 芯片40 内置在封装20 中、而采用外置的结构的模块构造( 例如在一个基板上独立安装有石英振子( 硅振子) 和IC 芯片的构造)。[0141] ( 第4 实施方式)[0142] 接着，对作为具有在上述第1 实施方式中叙述的石英振动片的电子设备的移动电话进行说明。[0143] 图6 是示出第4 实施方式的移动电话的示意立体图。[0144] 图6 所示的移动电话700 具有在上述第1 实施方式中叙述的石英振动片1 作为基准时钟振荡源等，还构成为具有液晶显示装置701、多个操作按钮702、受话器703 和送话器704。另外，移动电话700 也可以具有各变形例的石英振动片或其它变形例的硅振动片来替代石英振动片1。[0145] 上述石英振动片1、各变形例的石英振动片、和其它变形例的硅振动片中的任意一个不限于上述移动电话，还适于用作以下设备等的基准时钟振荡源等：电子书、个人计算机、电视、数字静态照相机、摄像机、录像机、车载导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理器、工作站、视频电话、POS 终端、具有触摸面板的设备，在任意一种情况下，都能够提供起到在上述实施方式和变形例中说明的效果的电子设备。[0146] 另外，在作为石英振动片1 基材的石英中，能够采用从石英的原矿石等以预定角度切割出的例如Z 切板、X 切板等。另外，在采用了Z 切板的情况下，蚀刻加工由于其特性变得容易，在采用了X 切板的情况下，温度- 频率特性由于其特性变得良好。[0147] 此外，振动片的振动方向不限于Z 轴方向( 厚度方向)，例如也可以通过在振动臂的侧面( 连接主面彼此的面) 设置激励电极，而设为X 轴方向( 沿着主面的方向)( 该方向的弯曲振动被称作面内振动)。[0148] 此外，振动片的振动臂的数量不限于3 个，也可以是1 个、2 个、4 个、5 个、n 个(n为6 以上的自然数)。[0149] 另外，振动片的基部厚度也可以与振动臂设为相同厚度。由此，振动片为平板状，因此制造容易。
发明人：舟川刚夫 山崎隆
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